半导体器件与工艺(7)-(公开课件).ppt

第七章 氧化 用于热工艺的基本设备有三种： ● 卧式炉 ● 立式炉 ● 快速热处理（RTP） 卧式炉是在硅片热处理中被广泛应用的设备。它的命名来自石英管的水平位置，石英管是用来放置和加热硅片的。在上世纪90年代初期，这种炉大部分被立式炉取代，主要是因为立式炉更易自动化、可改善操作者的安全以及减少颗粒沾污。立式炉与卧式炉相比可更好地控制温度和均匀性。卧式和立式炉体被认为是常规的热壁（hot wall）炉体，这是因为硅片和炉壁都需要加热，并且可同时处理大量的硅片（100～200片）。 高温炉设备 立式炉 立式炉出现的主要原因是利用立式炉减少净化室的占地面积并提高自动化处理程度。立式炉的主要控制系统分为五部分（对于卧式炉有同样的五部分）： ● 工艺腔 ● 硅片传输系统 ● 气体分配系统 ● 尾气系统 ● 温控系统 高温炉设备 ■ 工艺腔 工艺腔或炉管是对硅片加热的场所。它由垂直的石英钟罩、多区加热电阻丝和加热管套组成。 炉管材料 硅片在炉管中水平放置于垂直的硅舟上。舟和其他炉管元件是用耐高温的无定形石英做成的。炉管容器通常称为石英器皿，炉管中放置硅片用的支撑结构称为石英载物台。 工艺中，膜淀积在垂直的硅舟上，同时也淀积在炉管的内壁上，这种淀积膜将破裂和剥落。这些颗粒将随空气运动并停留在硅片上，导致缺陷和成品率降低。这就要求炉子部件（如炉管）取下并清洗以减少颗粒。减少膜剥落的另一种选择是用碳化硅（SiC）来制造炉子的元件，这是因为SiC提高了淀积薄膜的粘附性。 高温炉设备 ■ 加热区 每根石英处理管都被电热丝围绕，可用来控制多个加热区。通常加热区数目从3到7都有，300 mm炉子可达到9个区。加热区的数目是很重要的，因为这使得控制炉体中间附近的温度，即在热反应发生的地方获得一个恒温区更加便利。恒温区两端的加温区使硅片升降工艺温度最优化。这使得恒温区的温度，即使是在超过1000℃时，也能被控制在0.25℃以内。 高温炉设备 ■ 加热单元 立式炉里的加热单元是缠绕在炉管外部的金属电阻丝。加热时，通过加热区，它可提供均匀的热量。 ■ 温度控制 精确控制炉管温度的能力对炉体是非常关键的。温控的一个重要部分是传感器，我们热知的热电偶（TC）可以探测温度并且提供相应的毫伏信号给炉子的控制器。 ■ 硅片传输系统 立式炉中硅片传输系统的主要功能是在工艺腔中装卸硅片。所有的装卸硅片都由自动机械完成。自动机械在以下4个位置之间运动：片架台、炉台、装片台、冷却台。硅片传输中，装片台保持在10级（或更好）。 高温炉设备 ■ 气体分配系统 气体分配系统是通过将正确的气流传送到炉管来维持炉内的气氛。对于不同工艺，通过分配系统输送给炉管的气体有不同的通用和特种气体。 高温炉设备 ■ 控制系统 炉子微控制器控制着炉子的所有操作，如工艺时间和温度控制、工艺步骤的顺序、气体种类、气流速率、升降温的速率和装卸硅片。其他功能如诊断技术和数据收集也由微处理器执行。 快速热处理 快速热处理（RTP）是在非常短的时间内，将单个硅片加热至400～1300℃温度范围内的一种方法。RTP采用多盏卤钨灯组装在一起作为热源。卤钨灯通常安在硅片的顶部和底部，被置于多个区域里，这可使硅片上温度等高。这种等高温度分布可以补偿可能发生在冷壁系统升降温过程中的加热和冷却的不均匀性。卤钨灯将产生短波长辐射，硅片加热依靠选择性吸收卤钨灯的辐射。用这种方式，RTP在辐射热源和硅片间传输能量，同时也不会对反应腔壁加热。 高温炉设备 ■ RTP应用 RTP已经在硅制造业的许多工艺中被广泛应用。RTP在腔体设计和温度均匀性方面的进展使该设备具有可接受的温度一致性。经常使用到的操作有： ●注入退火，以消除缺陷并激活和扩散杂质 ●淀积膜的致密，如淀积氧化膜 ●硼磷硅玻璃（BPSG）回流 ●阻挡层退火，如氮化钛（TiN） ●硅化物形成，如硅化钛（TiSi2） ●接触合金 高温炉设备 * * 哈尔滨工程大学 微电子学 半导体器件与工艺 氧化物掩蔽技术是一种在热生长的氧化层上通过刻印图形和刻蚀达到对硅衬底进行扩散掺杂的工艺技术，是集成电路发展的关键因素。 硅片上的氧化物可以通过热生长或者淀积的方法产生。在升温环境里，通过外部供给高纯氧气使之与硅衬底反应，可以在硅片上得到一层热生长的氧化层。高温氧化工艺发生在硅片制造厂的扩散区域，是硅片进入制造过程的第一步工艺；淀积的氧化层可以