SiN钝化膜对Si衬底GaN基蓝光LED性能影响_邱冲.docVIP

第29卷　第5期 2008年10月 发　光　学　报 CH I N ESE JOURNAL OF LU M I N ESCE NCE Vol 129No 15 Oct . , 2008 文章编号:100027032(2008 0520840205 S iN 钝化膜对S i 衬底Ga N 基蓝光L E D 性能影响 邱　冲1 , 刘军林 1, 2 , 郑畅达 1, 2 , 姜　乐1, 江风益 1, 23 (1. 南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心, 江西南昌　330047; 2. 晶能光电(江西 有限公司, 江西南昌　330096 摘要:利用等离子辅助化学气相沉积(PEC VD 系统在垂直结构Si 衬底Ga N 基蓝光LE D 芯片上生长了Si N 钝化膜, 并对长有钝化膜及未作钝化处理的LE D 在不同条件下进行了老化实验, 首次研究了Si N 钝化膜对垂直结构Si 衬底Ga N 基蓝光LE D 可靠性的影响。实验发现:经过30mA 、85℃、24h 条件老化后, 未作钝化处理的Si 衬底Ga N 基蓝光LE D 的平均光衰为11. 41%, 而长有Si N 钝化膜的LE D 平均光衰为6. 06%, Si N 钝化膜有效地改善了LE D 在各种老化条件下的光衰, 另外, Si N 钝化膜缓解了Si 衬底Ga N 基蓝光LE D 老化过程中反向电压(V r 的下降, 但对老化后