半导体物理学第七版非平衡载流子.pptVIP

对强n型半导体(Et在EF之下)：n0、p0、n1、p1中n0最大，即n0p0 寿命简化为 对n型较重掺杂半导体，对寿命起主要作用的是复合中心对少数载流子空穴的俘获系数rp, 而与电子俘获系数rn无关。 对高阻半导体， EF在Et 与Ei之间， n0、p0、n1、p1中p1最大，即p1 n0， p0、n1， 并且 n0 p0 强n型、强p型、及高阻区是相对的，与复合中心能级Et的位置有关。 一般地，禁带中央附近的深能级Et是最有效的复合中心。 如CU, Fe, Au等杂质在Si中形成深能级，是有效的复合中心 浅能级，不是有效的复合中心 总结 假设复合中心是具有一定半径的球体，其截面积为?,截面积越大，俘获载流子的概率越大。 ?描述了复合中心俘获载流子的本领。 ?-描述电子俘获截面，?T载流子热运动速度 ?+描述空穴俘获截面 电子、空穴的俘获系数 深能级复合中心举例 Au在Si中为深能级， 双重能级：受主能级EAt, 距导带0.54eV; 施主能级EDt, 距价带0.35eV; 两能级其主要作用不同 N型Si：若浅施主不少，EF接近EC， Au接受电子成为Au-，只有受主能级EAt起作用. p型Si： Au基本上为空，释放电子为Au+，只存在施能级EDt起作用. N或p型Si，Au为有效复合中心，对少数载流子寿命产生极大的影响。 室温下，若r