放射性同位素与辐射技术应用.ppt

纳米技术发展简史 永不充电的手机：整个手机表面都覆盖有高科技纳米材料，可以随时将光能转化为电能。 纳米技术正在改变我们的生活 不沾水的纳米伞 纳米材料的定义 三维空间中至少有一维处于纳米尺度范围(1～100 nm)或者由该尺度范围的物质为基本结构单元所构成的材料的总称。 碳纳米管 石墨烯纳米带 ZnO纳米花 大米状Ag纳米颗粒 纳米材料 微观系统 介观系统 宏观系统 小尺寸效应 表面效应 量子尺寸效应 宏观量子隧道效应 介电限域效应 1~100 nm 纳米材料的基本性质 离子注入是合成纳米材料的主流技术之一。用同位素分离器使具有一定能量的离子硬嵌在某一与它固态不相溶的衬底中，然后加热退火，让它偏析出来就会形成纳米颗粒。通过改变注入离子的能量和剂量，以及退火温度，可以控制所形成的纳米颗粒在衬底中的深度分布和尺寸大小。 离子注入与纳米材料的合成 Ren F, Jiang C Z, Liu C, et al., Phys. Rev. Lett., 2006, 97(16): 165501. FIG. 1. Cross-sectional, planar TEM images of the samples implanted by 200 keV, 5×1016 (a), (c) and 1×1017 (b), (d) Ag+ ions/cm2, and the SAED pattern [inset] for the sample implanted by 1×1017 Ag+ ions/cm2. 在SiO2中通过离子注入合成的Ag纳米颗粒 Zhang X D, Xi J F, Shen Y Y, et al., Opt. Mater., 2011, 33(3): 570~ 575. Fig. 3. XTEM micrographs obtained in the Cu ion implanted SiO2 samples after annealing at 600 oC in nitrogen. 在SiO2中通过离子注入合成的Cu纳米颗粒 在SiO2中通过离子注入合成的Au纳米颗粒 Fig. 5. TEM cross-sectional bright-?eld micrographs for the Au-implanted samples as a function of the annealing time from the as-implanted to samples annealed at 900oC for 1 h, 3 h, 12 h. Mattei G, Mazzoldi P, Bernas H, Topics Appl. Physics, 2010, 116: 287~316. 7.8 反恐、反走私领域的放射性同位素与辐射技术 图7-54 钴－60集装箱在线监测系统 该系统由放射源、探测器、图像处理系统、拖动系统、控制系统和辐射防护与安全系统六部分组成。当集装箱通过时，快门自动打开，钴－60发出 的γ射线被准直器约束成扇形片状窄束照射被检集装箱，探测器将接收到的γ射线转换成电信号，送到计算机进行图像处理，并在屏幕上显示，由此可以判别箱内是否存在走私品、武器或炸药。 在加速器中，被加速的电子束经过扫描磁铁时被扫描成电子帘，当传送带上的被辐照物品通过高能电子帘辐射区吸收一定的电子束剂量后，被辐照物品中生物细菌就可以被全部杀死。 右图为我国自行研制的自屏蔽式电子束辐照灭菌装置，它能杀灭邮件、邮包中的炭疽、天花、鼠疫等生物细菌，而且经过处理的邮件等不会残留任何放射性，为打击恐怖主义活动、保障人民生命和健康发挥了重要作用。 核磁共振是指原子核在进动中吸收外界高频磁场能量产生的一种能级跃迁现象。根据选择定则，这种跃迁只在相邻的能级之间发生，同时出现强烈的能量共振吸收。与穆斯堡尔效应相比，其可探测的核要多很多，精度也非常高。近年来发展的固体高分辨核磁共振技术，最大的特点是能反映各种相互作用和各向异性，例如对高聚物和液晶的研究可得到其他技术不可替代的结构信息。 核磁共振谱图事例 （3）正电子湮没技术 由源发出的正电子遇到电子会湮没成两个光子，即一对γ射线。通过对湮没寿命的测量、γ湮没关联测量和γ射线的多普勒增宽能谱测量可研究材料的结构。 正电子湮没技术的应用是从20世纪50年代开始的，目前国际上最多的还是对金属和合金材料的研究，但最新的研究显示，其已向半导体、聚合物领域扩展。 H-Si 正电子湮没寿命 正电子湮没角关联 正电子湮没多普勒能谱 基本实验方法 基本实验仪器 图7-48 22Na慢正电子束流装置（左上）和它的数据获