光刻基本原理与技术应用.ppt

套准精度 影响光刻套准精度的因素有 光刻机自身的定位精度（包括光学、机械、电子等系统的设计精度和热效应） 硅片的加工精度和硅片在热加工过程中的形变 振动 环境温度变化 光刻胶的套准精度 第八章 光刻原理和技术－Lithography § 8.1 引 言 § 8.2 光刻工艺流程 § 8.3 光刻光学 § 8.4 光致抗蚀剂 § 8.5 先进的曝光技术 §8.5 先进的曝光技术 电子束曝光技术 X射线曝光技术 电子束曝光 分辨率高，可加工0.1－0.25微米图形 电子束波长与能量关系 E为15Kev时 ?＝0.1埃 不要掩膜，容易配合CAD，实现高度自动化 焦深大 真空中进行，清洁度高 缺点是产量小 广泛用于掩膜版的制造 X射线曝光 这是一种用于深亚微米（可达0.1微米以下）工艺的光刻技术 优点 波长应用范围0.5－2nm，分辨率高 焦深大，工艺宽容度大 有机尘粒缺陷不敏感 一般原理 一种1：1的接近式光刻方法 用X射线光源使含有对X线透明和不透明区的掩膜图形成像到涂有对X射线敏感的光刻胶的硅片表面，最终形成器件制作所需的图形。 X 射线光源有二种 1.X 射线点光源 用高能电子束轰击金属靶发射的X光 2.同步辐射光源 电子在磁场沿曲线轨道运动发出电磁辐射 同步辐射X线光刻系统是以电子储存环为基础，加上光束线和光刻机构成的。 包含下面几大技术 1) 同步辐射光源－电子储存环技术 同步辐射光源是由电子同步加速器产生的强辐射，即电子储存环中以接近光速运动的电子在磁场作用下发生偏转时可以产生有一定波长范围的极强的X线辐射。 2) 光束线技术 光束线是从环引出和传输X线及进行真空隔离的重要部件 3) X线光刻掩膜 掩膜衬基材料：Si, SixNy, BN, SiC等 吸收体材料： Au,W,Ta,W-Ti等 4) X线光刻胶 5) X线光刻设备 －Stepper Future Trends ?Optical lithography will likely be extendible to the 0.10 mm generation (maybe further). ? Beyond that, there is no general agreement on which approach will work in manufacturing. ? Possibilities include e-beam, e-beam projection (SCALPEL), x-ray and EUV. ? New resists will also likely be required for these systems. Mask 一般是熔石英上镀一层约80nm的金属Cr层和光刻胶。一般在Cr和光刻胶之间有一层10纳米左右的防反射层，防止来自Cr层的反射降低了图形的分辨率。用电子束对光刻胶进行曝光，显影后，用光刻胶作为腐蚀的mask,用湿法腐蚀Cr层，从而把光刻胶上的图形转移到Cr层上。因此mask上干净的没有Cr层的区域一定有高的透明度。 1。高压汞灯的发光机理：密封玻璃罩中有Hg蒸气。在罩内有两个相隔几毫米的导电电极。在电极之间加高压，产生弧光，离化气体。一旦气体离化，就象等离子体。等离子体中的自由电子的有效温度为40000K，反射黑体辐射，波长在深紫外。部分自由电子和汞原子的碰撞使得汞原子中的一些电子得到能量，使其跃迁到一个高能级，当这些电子落回到低能级时，辐射光子。 2。惰性气体(如Kr）和卤素化合物（如NF3)，一旦被激发，产生化学反应，形成KrF。一旦被激分子回到激态，在深紫外区发射光子，形成的分子被打破。所以必须连续提供能量。通常从一个脉冲放电来弥补激发物质的数量。 想象孔径是光刻板的一部分，穿过它的光携带着孔径的尺寸、形状等信息，必须收集这些信息，易使印刷在光刻胶上的图像完美。问题是这些信息由于衍射效应在空间发散，因此要用一个透镜来进行聚焦，但是由于透镜的尺寸有限，聚焦透镜只能收集到部分信息，因此失去了一些细节的信息。 对于一个固定的光刻胶，?不是一个固定值。和工艺参数有关 光刻胶种类 正光刻胶(Positive optical resist) 负光刻胶(Negative optical resist) Resists are organic polymers that are spun onto wafers and prebaked to produce a film ? 0.5 - 1 mm thick. 正性光刻胶－Positive Optical Resist 正胶的