位错弹性基础性质.pptVIP

六、实际晶体结构中的位错 Dislocations in real crystals 以上位错结构是以简单立方晶体为研究对象，实际晶体中更为复杂，具有特殊性质和复杂组态 简单立方晶体中，b总是等于点阵矢量。 1 实际晶体中位错的柏氏矢量 单位位错 Unit dislocation：柏氏矢量等于单位点阵矢量的位错 全位错 Perfect dislocation：柏氏矢量等于点阵矢量或其整数倍的位错，全位错滑移后晶体原子排列不变 不全位错 Imperfect dislocation：柏氏矢量不等于点阵矢量整数倍的位错，不全位错滑移后晶体原子排列规律变化 部分位错 Partial dislocation：柏氏矢量小于点阵矢量的位错 在实际晶体结构中，位错的b不能是任意的，它要符合晶体的结构条件和能量条件。 1）晶体的结构条件是指b必须连接一个原子平衡位置到另一个平衡位置。 2）从能量条件，位错能量正比于b2，b越小系统越稳定，即单位位错应该是最稳定的位错。 b=点阵矢量 2 堆垛层错 stacking fault 密排堆垛时： FCC晶格中(111)面的堆垛顺序为ABCABCABC… HCP晶格中(0001)面的堆垛顺序为ABABAB… FCC HCP ABCABCABC… ABABAB… A A A A A A A B B B C C C A A B C B C… △△ △△… 实际晶体结构中，密排面的正常堆垛顺序有可能遭到破坏和错排，称为堆垛层错，简称层错。 FCC晶格中(111)面的堆垛顺序为ABCABCABC…△△△△△△… HCP晶格中(0001)面的堆垛顺序为ABABAB… △ △ △ △… FCC结构中的堆垛层错 正常排列 A B C A B C… △△△△△△… 抽出一层A 插入一层B 抽出型 插入型 △ A B C B A B C… △△ △△… △ △ △ △ 一层HCP packing △ △ 形成层错时几乎不发生点阵畸变，但破坏了晶体的完整性和正常的周期性，使晶体的能量增加，增加的能量称为堆垛层错能 ?（J/m2）stacking fault energy 层错能低，晶体中容易出现层错； 层错能高，晶体中不易出现层错； 很少出现层错 3 不全位错 imperfect dislocation, partial dislocation 如果堆垛层错不是发生在晶体的整个原子面上而只是在部分区域存在，那么，在层错与完整晶体的交界处就存在不全位错，其伯氏矢量b不等于点阵矢量 层错的边界就是位错 抽出型 插入型 不全位错：堆垛层错与完整晶体的分界线（b矢量不等于点阵矢量） 肖克莱（Schckley)不全位错: b=a/6 [121](在(111)面上） 特点：1）b矢量永远平行于层错面 2）层错为一平面=其边界在一平面内 3）可以为刃型、螺形、混和位错 4）滑移的结果是层错面的扩大或缩小。但不能攀移，因它必须和层错始终相连 Fcc晶体中两种重要的不全位错 - 柏氏矢量在滑移面上——可以滑移 位错运动——相当于层错面的扩大或缩小 肖克莱位错类型——刃位错、螺位错、混合位错 位错线、柏氏矢量、滑移面共面——肖克莱位错线为平面曲线 肖克莱位错： 弗兰克（Frank) 不全位错 弗兰克（Frank) 不全位错：插入或抽出半原子面所形成的层错与完整晶体的边界, b=a/3 111 。 抽出：负弗兰克（Frank) 不全位错 插入：正弗兰克（Frank) 不全位错 特点：a) b=a/3 111，纯刃型位错 b）不能在滑移面上滑移，只能攀移 c）属不动位错（sessile dislocation) 弗兰克位错： 柏氏矢量垂直于滑移面——不可滑移，只能攀移 位错运动——相当于层错面的扩大或缩小 弗兰克位错类型——纯刃位错 可以是空间曲线 位错合并 位错分解 畸变场的合并与拆分 两个或多个畸变场的合并 畸变场拆分为两个或多个畸变场 位错反应 实质 能量降低 实现 4 位错反应 位错线之间可以合并或分解，称为位错反应，但需满足以下条件： a. 几何条件： 反应前后诸位错的柏氏矢量之和相等， b. 能量条件： 反应后位错的总能量小于反应前位错的总能量 4 位错反应 几何条件： 能量条件： 反应前后柏氏矢量和相等（方向、大小） 反应后能量降低 判断方法： 几何条件判断方法：求反应前后各个位错柏氏矢量的矢量和 能量条件判断方法： 求反应前后各位错 |b|2 的和 位错反应的条件： 例： bcc 中，当 与 相遇时，能否合并为 几何条件： 即： 能量条件： 满足几何条件和能量条件