晶硅电池制备的工艺切片制绒扩散.ppt

关源、退舟 扩散结束后，关闭小N2和O2，将石英舟缓缓退至炉口，降温以后，用舟叉从臂桨上取下石英舟。并立即放上新的石英舟，进行下一轮扩散。 如没有待扩散的硅片，将臂浆推入扩散炉，尽量缩短臂桨暴露在空气中的时间。 卸片 等待硅片冷却后，将硅片从石英舟上卸下并放置在硅片盒中，放入传递窗。 扩散工艺的影响因素： N2流量 大N2 大N2可维持扩散炉管内的气流均匀性，大N2流量越大，管内气流运越迅速，气体越均匀，有利于扩散的进行。 小N2 小N2流量影响进入石英管P源的量，流量越大磷源越多，会使参杂浓度变大，方阻下降。 O2流量 在一定范围内增大O2流量有利于POCl3分解，扩散更充分。 扩散时间 其他因素不变的情况下，扩散时间越长，扩散进 行越充分，方阻变小 。 扩散温度 温度影响结深，温度越高p-n结越深，方阻越小。 POCl3温度 POCl3温度一般为20℃；三氯氧磷极易挥发，源温过高会加大小N2所携带三氯氧磷的量，从而影响掺杂浓度 。 扩散层薄层电阻及其测量 在太阳电池扩散工艺中，扩散层薄层电阻（方块电阻）是反映扩散层质量是否符合设计要求的重要工艺指标之一。 方块电阻也是标志进入半导体中的杂质总量的一个重要参数。 方块电阻的定义 考虑一块长为l、宽为a、厚为t的薄层如右图。如果该薄层材料的电阻率为ρ，则该整个薄层的电阻为 当l=a（即为一个方块）时，R= ρ/t。可见，（ρ/t）代表一个方块的电阻，故称为方块电阻，特记为R□= ρ/t (Ω/□) 扩散层薄层电阻的测试 目前生产中，测量扩散层薄层电阻广泛采用四探针法。测量装置示意图如图所示。图中直线陈列四根金属探针（一般用钨丝腐蚀而成）排列在彼此相距为S一直线上，并且要求探针同时与样品表面接触良好，外面一对探针用来通电流、当有电流注入时，样品内部各点将产生电位，里面一对探针用来测量2、3点间的电位差。 方阻测试原理图： 将位于同一直线上的4个小探针置于一平坦的硅片上 (硅片尺寸相对于4点探针，可视为无穷大)； 施加直流电流于外侧的2个探针上； 内侧2个探针间的电压差(U)可测量，以计算硅片的方阻。 硅片的电阻率有显著的温度系数，故测试温度要一致，温度变化要进行校正； 通入的电流必须小到不会引起电阻加热效应。 方阻测试原理： 考虑一块长为l、宽为a、厚为b的薄扩散层如右图。如果该薄层材料的电阻率为ρ，则该整个薄层的电阻为 当l=a（即为正方形）时，R= ρ/b。可见，（ρ/b）代表一个方块的电阻，故称为方块电阻，特记为R□= ρ/b(Ω/□) 又ρ=2πS(U/I) S为两探针之间的距离 经推断，ρ=4.5324b(U/I） 即 R□=4.5324b(U/I) 方阻测试原理： 磷扩散注意事项（一）——工艺卫生 所有工夹具必须永远保持干净的状态，包括吸笔、石英舟、石英舟叉子、碳化硅臂桨。 吸笔应放在干净的玻璃烧杯内，不得直接与人体或其它未经清洗的表面接触。 石英舟和石英舟叉应放置在清洗干净的玻璃表面上。 碳化硅臂桨暴露在空气中的时间应做到越短越好。 磷扩散注意事项（二）——安全操作 所有的石英器具都必须轻拿轻放。 源瓶更换的标准操作过程 　 依次关闭进气阀门、出气阀门，拔出连接管道，更换源瓶，连接管道，打开出气阀门、进气阀门。 扩散工序质量要求： ⒈ 方阻的大小和均匀性（片内极差） 多晶：80±3Ω/□ 单晶：65±3Ω/□ 片内极差小于17 方阻偏大或偏小，需返工，工艺为：二次清洗制绒→扩散或后清洗→扩散 2. 工艺能力过程控制： Cp（工艺精密度）、工艺准确度、 K(工艺准确度)、 Cpk(工艺能力） 3. 硅片外观 检查硅片表面颜色是否均匀、异常，出现蓝色、脏污、黑点、线痕台阶为不合格，主要蓝色、脏污、黑点片，可集中进行返工。 扩散炉 设备要求： 精确度高 可准确控制反应管 的实际工艺温度 和气 流量。 用于长时间连续工作、 高精度、高稳定性、 自动控制。 48所三管扩散炉 来回拉动。切损程度200～250um,需要降低钢线直径。 * 制绒液中NaOH的浓度为15克/升，反应温度85 ℃。无乙醇时的绒面形貌： 乙醇浓度3vol%时的绒面形貌 乙醇浓度10vol%时的绒面形貌 乙醇浓度30vol%时的绒面形貌 关键因素的分析 ——不同时间制绒形貌的描述 经热的浓碱去除损伤层后，硅片表面留下了许多肤浅的准方形的腐蚀坑。1分钟后，金字塔如雨后春笋，零星的冒出了头；5分钟后，硅片表面基本上被小金字塔覆盖，少数已开始长大。