第五章 电子节能灯及镇流器中所用开关器件.ppt

2.双极型三极管 如图所示为双极型功率晶体管的外形封装及其引脚排列。 ppt课件 电子镇流器中的全控型功率开关器件 ppt课件 电子镇流器中的全控型功率开关器件 ppt课件 全控型功率开关器件应用电路系统组成 电子镇流器中的全控型功率开关器件 ppt课件 P－MOSFET的结构与工作原理 　　MOSFET的类型很多，按导电沟道可分为P沟道和N沟道； 电力场效应晶体管是多元集成结构，即一个器件由多个MOSFET单元组成。MOS管是靠多数载流子工作的单极型器件，开关损耗小，安全工作区较大，热稳定性好，工作频率高，是电压型器件。MOSFET单元结构如图所示，有三个引脚，分别为源极S、栅极G和漏极D。 3.功率场效应晶体管 ppt课件 管子符号如图4-18（a）所示，三个引脚，S为源极，G为栅极， D为漏极。 源极的金属电极将管子内的N+区和P区连接在一起，相当于在源极（S）与漏极（D）间形成了一个寄生二极管。管子截止时，漏源间的反向电流就在此二极管内流动。为了明确起见，常又将P-MOSFET的符号用图4-18（b）表示。如果是在变流电路中，P-MOSFET元件自身的寄生二极管流通反向大电流，可能会导致元件损坏。为避免电路中反向大电流流过P-MOSFET元件，在它的外面常并接一个快速二极管VD2， 串接一个二极管VD1。 因此，P-MOSFET元件在变流电路中的实际形式如图4-18（c）所示。 3.功率场效应晶体管 ppt课件 MOSFET单元结构 3.功率场效应晶体管 ppt课件 PM图形符号 3.功率场效应晶体管 ppt课件 MOSFET的工作原理 当栅—源极间的电压UGS≤0或0＜UGS≤UV（UV为开启电压，又叫阈值电压，典型值为2～4 V）时，即使加上漏—源极电压UDS，也没有漏极电流ID出现，PM处于截止状态。  当UGS ＞ UV且UDS ＞0时，会产生漏极电流ID， PM处于导通状态，且UDS越大，ID越大。 另外， 在相同的 UDS下， UGS越大， ID越大。  综上所述， PM的漏极电流ID受控于栅—源电压UGS和漏—源电压UDS ——PM的转移特性。 3.功率场效应晶体管 ppt课件 PM的转移特性是指电力场效应晶体管的输入栅源电压UGS与输出漏极电流ID之间的关系，如下图所示。当ID较大时，该特性基本为线性。曲线的斜率gm=ΔiD/ΔUGS称为跨导，表示PM栅源电压对漏极电流的控制能力。仅当UGS＞UT时，才会出现导电沟道，产生栅极电流ID。转移特性反映了该器件是电压型场控器件。由于栅极的输入电阻很高，可以等效为一个电容，所以栅源电压UGS能够形成电场，但栅极电流基本为零。因此， MOSFET的驱动功率很小。 3.功率场效应晶体管 ppt课件 PM的转移特性 3.功率场效应晶体管 ppt课件 　 PM的输出特性，是以栅源电压为参变量，漏极电流与漏极电压关系之间的曲线族。输出特性曲线分为三个区域：非饱和区Ⅰ，饱和区Ⅱ，雪崩区Ⅲ和截止区。在Ⅰ区内，漏源电阻RDS的阻值是变化的。固定栅极电压UGS，漏源电压UDS从零上升过程中，漏极电流ID首先线性增长，接近饱和区Ⅱ时，ID变化缓慢，达到饱和区Ⅱ后，此后UDS虽然增大，但ID维持恒定。当MOSFET用做线性放大时，工作在饱和区。从该区域中可以看出，在同样的漏源电压下，UDS越高，漏极电流ID也就越大。但当UGS继续增大时，进入雪崩击穿区Ⅲ。在应用中要避免出现这种情况，否则造成器件的损坏。 3.功率场效应晶体管 ppt课件 PM的输出特性曲线 3.功率场效应晶体管 ppt课件 P-MOSFET的主要特点 在电子镇流器中作为开关使用的功率MOSFET管，与其他类型和用途的MOSFET管一样，具有以下几个方面的特点： ①MOSFET是一种电源控制型器件，输入阻抗高，属于纯容性元件，驱动电路远比电流控制型的双极型晶体管简单，并且驱动功率较小。 ②MOSFET是一种依靠多数载流子工作的单极型器件，不存在少数载流子的存储效应，开关速度快，工作频率可达1 MHz，使电路可以使用小型化的磁性元件。 ③MOSFET不存在双极型晶体管固有的二次击穿现象，具有较大的安全工作区，热稳定性好，可靠性高，尤其适合在大功率条件下应用。 ④MOSFET的栅极与源极之间的击穿电压BVCS一般不低于20V，栅极与源极之间的开启门限电压VCAS(tb)通常为2～4V，漏极电流ID大于3A的器件几乎全部嵌入了快速恢复型续流二极管。 ⑤MOSFET的导通态（漏极与源极之间）电阻RDS(ON)较大，而且具有正的温度系数，导通损耗较大。从价格上看，MOSFET与性能相同或相近的双极型晶体管比较，普遍要高