第3章 场效应晶体管及其放大电路讲解.ppt

N 沟道结型 P 沟道结型 四、场效应管的主要参数 1．夹断电压UGS（off）或开启电压UGS（th） 2．零偏漏极电流IDSS 3．漏源击穿电压U（BR）DS 4．栅源击穿电压U（BR）GS 5．直流输入电阻RGS 6．漏极最大耗散功率PDM 7．跨导gm 五、使用MOS管的注意事项 1．MOS管栅源之间的电阻很高，使得栅极的感应电荷不易泄放，因极间电容很小，故会造成电压过高使绝缘栅击穿。因此，保存MOS管应使三个电极短接，避免栅极悬空。焊接时，电烙铁的外壳应良好的接地，或烧热电烙铁后切断电源再焊。测试MOS场效应管时，应先接好线路再去除电极之间的短接，测试结束后应先短接各电极。测试仪器应有良好的接地。 2．有些场效应管将衬底引出，故有4个管脚，这种管子漏极与源极可互换使用。但有些场效应管在内部已将衬底与源极接在一起，只引出3个电极，这种管子的漏极与源极不能互换。 六、VMOS管介绍 VMOS场效应晶体管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应晶体管。它的最大耗散功率可高达几百瓦甚至上千瓦，漏源间的击穿电压可高达1200V。 VMOS管采用了纵向导电沟道，具有电流容量大（可高达200A）、耐压高、跨导线性好、开关速度快（可达3ns）等优良特性，在电压放大器、功率放大器、开关电源和逆变器中得到了广泛的应用。 N沟道增强型VMOS管结构示意图 为了不失真地放大变化信号，场效应管放大电路必须设置合适的静态工作点。 一、自偏压放大电路（适用于耗尽型管） 自偏压：UGS=－ID·RS UDS=VDD－ID(RD+RS) 增强型适用？ 第二节 场效应晶体管基本放大电路 二、分压式自偏压放大电路 适当选择RG1或RG2值，就可获得正、负及零三种偏压。 RG3阻值很大，用以隔离RG1、RG2对信号的分流作用，以保持高的输入电阻。 三、效应管放大电路的微变等效电路分析法 场效应管的微变等效电路 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 第三章 场效应晶体管及其放大电路 晶体管是一种电流控制型器件，晶体管放大电路工作时，需要由信号源给晶体管提供一定的输入电流，所以，晶体管的输入电阻较低。 场效应晶体管是电压控制型器件，它利用电压改变电场的强弱来控制管子的导电能力，其控制端电流几乎为零，因而具有很高的输入电阻。 因为场效应晶体管工作时基本上只有一种载流子参与导电，所以也称为单极型晶体管，而晶体管工作时两种载流子均参与导电，所以也称为双极型晶体管。 场效应晶体管还具有热稳定性好、噪声低、抗辐射能力强、制造工艺简单、便于集成等优点，因此在电子电路中得到了广泛的应用。 第一节 场效应晶体管 场效应管的分类 根据结构和工作原理的不同，场效应管可分为两大类： 结型场效应管 N沟道：耗尽型 P沟道：耗尽型 绝缘栅型场效应管 N沟道：增强型和耗尽型 P沟道：增强型和耗尽型 一、增强型绝缘栅场效应晶体管的结构及工作原理 增强型MOS管的结构示意图与符号 a) 结构 b) 增强型N沟道MOS管符号 c) 增强型P沟道MOS管符号 二氧化硅(SiO2)绝缘层 源极 栅极 漏极 工作原理 UGS对ID及沟道的控制作用:栅源极电压UGS=0时,管子的漏极和源极之间没有导电通道,极间等效电阻很高,漏极电流ID近似为零。 UGS足够大时，由于静电场作用，管子的漏极和源极之间将产生一个导电通道（称为沟道），极间等效电阻较小，在UDS作用下，可以形成一定的漏极电流ID。 增强MOS管电路 特性曲线 N沟道增强型MOS管特性 a)转移特性 b)输出特性 开启电压 可变电阻区 恒流区 击穿区 夹断区（截止区） 二、耗尽型绝缘栅场效应管的结构及特性 耗尽型MOS管的结构示意图与符号 a) 结构 b) 耗尽型N沟道MOS管符号 c) 耗尽型P沟道MOS管符号 N沟道耗尽型管的特性 a)转移特性 b)输出特性 增 强 型 NMOS 增 强 型 PMOS 耗 尽 型 NMOS 耗 尽 型 PMOS 三、结型场效应晶体管的特性