半导体物理与器件第5章半导体器件.pptVIP

5.6 金属薄膜的物理气相淀积技术5.6.1 金属膜的蒸发 蒸发所用的各种装置示意图 （a）电阻加热器 （b）射频感应加热器 （c）电子束蒸发 5.6.2 金属模的溅射 各种溅射系统示意图 （a）标准溅射 （b）长程溅射 （c）具有准直器的溅射 5.7 制备半导体器件工艺流程5.7.1 硅平面晶体管工艺流程 硅外延平面晶体管的基本工艺流程图 硅外延平面晶体管工艺流程剖面图 5.7.2 MOS晶体管与MOS集成电路工艺流程 MOS晶体管与MOS集成电路工艺流程 5.7.3 P阱硅栅CMOS工艺和元件的形成过程 P阱硅栅CMOS反相器工艺流程及芯片剖面示意图 第五章 半导体器件制备技术 5.1 晶体生长和外延5.1.1 晶体基本生长技术 Si的制备过程一般为: SiC（固体）+ SiO2（固体）→Si（固体）+SiO（气体）+CO（气体） Si（固体）+3HCl（气体）→SiHCl3（气体）+H2（气体） SiHCl3（气体）+H2（气体）→Si（固体）+3HCl（气体） 柴可拉斯基式拉晶仪的简示图 5.1.2 晶体外延生长技术 外延是一种采取化学反应法进行晶体生长的另一种技术。在一定条件下，以衬底晶片作为晶体籽晶，让原子（如硅原子）有规则地排列在单晶衬底上，形成一层具有一定导电类型、电阻率、厚度及完整晶格结构的单晶层，由于这个新的单晶