第二章 2.6-2.7 二极管温度效应与电容效应.ppt

Physics of Semiconductor Devices PN结的温度特性 PN结的电容效应 2.6节、2.7节 PPT课件 一 I-V 特性的温度依赖关系 PN结中存在少子注入引起的扩散电流、空间电荷区的产生与复合电流和隧道电流。隧道电流对温度不敏感，扩散电流和产生、复合电流依赖于温度： ni 随温度增加而迅速增加，在高于室温时，不太大的正偏压下就使 Id 占优势。 正偏： PPT课件 反偏： 随温度增加，ni 增大，扩散电流 Id 也占优势 无论正偏或是反偏，(2-48)式足以描述大多数二极管 I-V 特性对温度的依赖关系： 说明 PPT课件 1、I0 的温度依赖关系： 主要体现在 ni 对温度的依赖关系上： 反应了反偏情况下，I-V 特性的温度效应 反偏 - PPT课件 正偏 取 和 2、正偏时 的温度依赖关系： ？ PPT课件 对于硅二极管，Eg0＝1.21eV，典型的工作电压为0.6V；在室温(300K)时，每增加 10oC，电流约增加l倍；电压随温度线性地减小，系数约为-2mV/oC ；结电压随温度变化十分灵敏。可利用这一特性来精确测温和控温。 思考题： PN结温度系数的测试分析 ？ PPT课件 硅二极管正向温度依赖关系 - 阈值电压减小 PPT课件 硅二极管反向温度依赖关系 - PPT课件 二 PN 结的势垒电容 PN空间电荷区的电荷量随外加偏压而变化的现象，表明PN结具有电容效应。利用PN结电容效应可制成变容二极管和集成电路中所需的电容。 PPT课件 接通电源，对电容充电，直至两个极板间的电位差等于外加电压。极板上的电荷量随外加电压的增加而增大，相应的极板间电场强度也增强。电容器上电压的变化是靠极板上电荷的改变而实现的。 （1）基本概念 PPT课件 PN结上的压降也是通过空间电荷区正、负电荷发生变化来实现的。正负电荷增加、PN结压降增大；空间电荷区正负电荷减小，压降减小。可见，PN结类似于平板电容。 反偏电压增加，有放电电流使得（电子和空穴流走），空间电荷区的正、负电荷增加；反偏电压减小，正负电荷减少；在耗尽层近似的情况下，正负电荷的增减是靠空间电荷区的宽度变化来实现的。 PPT课件 当外加电压不变时，空间电荷区的空间电荷量不变，空间电荷区的电容充电和放电停止，因此，PN结电容只在外加电压变化时才起作用。外加电压频率越高，每秒充发电的次数越多，通过空间电荷区电容的电流就越大，空间电荷区电容作用也显著。 PN结的电容效应发生在势垒区，称为势垒电容 PPT课件 ！电荷变化量集中在空间电荷区两边的薄层内 PN结的势垒电容 和平行板电容 器形式一样 1、PN结电容允许直流通过，而通常的电容器能隔直流； 2、PN结电容是偏压的函数。（间距是变化的） 区别： PPT课件 （2）单边突变结势垒电容 根据单边突变结耗尽区宽度的表达式(2-23)： 空间电荷层的小信号电容定义为： 单边突变结势垒电容 PPT课件 根据斜率可以计算施主浓度，直线外推可求出自建电压。 PPT课件 （3）线性缓变结势垒电容 空间电荷层的小信号电容定义为： 思考： 试描述线性缓变结势垒电容变化关系曲线 ？ PPT课件 在杂质分布未知的PN结中，可以利用电容－电压曲线描绘出轻掺杂一边的杂质分布，这种过程称为求杂质分布。 （4）杂质分布求解 对于一任意杂质分布： 电荷增量 空间电荷层边缘W处的杂质浓度 PPT课件 根据泊松方程，电场增量与电荷增量的关系： 电场增量与偏压增量的关系： 可以求出W 在不同反向偏压下，描述出1/C2和V的曲线，利用曲线得到Δ(1/C2)/ΔV，从而可以得到N(W)。 PPT课件 单位面积上电容变化关系 PPT课件 三 PN 结的扩散电容 在扩散区中积累的电荷量随着外加电压而改变的，因此，PN结也可等效为一个电容，这个电容称为PN结的扩散电容。正偏时，在扩散区积累的非平衡载流子的电量随偏压很快增加，因此正偏时的扩散电容很大；反偏时，扩散区的少子浓度低于平衡值，载流子电量随电压变化很小，因此，反偏时的扩散电容可以忽略。 正向PN结的扩散电容：空穴扩散区电容和电子扩散区电容的和 PPT课件 空穴扩散区积累的电荷： 电子扩散区积累的电荷： 空穴扩散区电容 电子扩散区电容 PPT课件 总扩散电容： 对于PN+结: 对于P+N结: 扩散电容随正向电压加大而呈指数增加，正向电流较大时，扩散电容也较大，将起主要作用。 二极管和晶体管的开关特性和高频特性都与扩散电容有关 PPT课件 Physics of Semiconductor Devices