电工学第版下册课件二极管和晶体管-(公开课件).pptVIP

14.2 PN结 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 结论：PN结具有单向导电特性 单向导电性：P+ N—。 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 大信号的二极管电路分析: 14.4 稳压二极管 3. 主要参数（关注发热安全和稳压效果） 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 晶体管电流测量数据 14.5.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 截止区 (3) 饱和区 14.5.4 晶体管的主要参数 1. 电流放大系数，? 第28页起： 14.3.1 14.3.2 14.3.5（难点）14.3.6（难点） 14.4.1 14.4.2(难点) 14.5.1 14.5.2 14.5.4 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 当且仅当特性曲线的水平部分，IC和IB成正比， ? 值才是常数。 虚线以上波形保留； 虚线以下波形被砍， 以水平线代替。 3V 假定D断,则vn=ui;vp=5 2种电路工作状态： 1）D断;ui5;则uo=5（波形被砍，代以水平线） 2）D通;ui5;则uo=ui（输入波形保留） 第2小问：VA=6,VB=5.8时的电路状况？ 假定DA/DB均断开，则两管同时处 正向电压，但DA的正向压降更大，所以， DA优先导通。 过渡状态1： DA通DB断 VO=6*0.9=5.4 由于电阻存在，DB并没有因动作慢而被阻断， 仍承受正向电压， DB也导通。 所以，最终稳定状态： DA通DB通 节点电压法求VO=（6+5.8）/(1+1+1/9)=5.59 14.3.5 假定D断开，则二极管承受压降为： uD=E+e=10+30sinwt（原始输入波形） 若u =10+30sinwt 0，反向偏置 D断开,u D=10+30sinwt（波形保留） 若u =10+30sinwt 0， 正向偏置D导通, u D=0（波形被砍，代以0轴线） 稳压管正常工作时处反向击穿区 稳压管正常工作时， 承受大的反向击穿电流，故要加限流电阻R 稳压管反向击穿后，其电流变化很大， 其电压变化很小， 可起稳压作用。 1. 符号 _ + UZ IZ ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 U I O IZmin IZmax 反向截止区 反向击穿区（电击穿） 热击穿 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ ：最大稳定电流 IZmax 最小稳定电流 IZmin (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 2.5.1 稳压二极管 3. 稳压电路 正常稳压时 VO =VZ # 稳压条件是什么？ IZmin ≤ IZ ≤ IZmax # 不加R可以吗？ # 上述电路VI为正弦波，且幅值大于VZ ， VO的波形是怎样的？ {end} 14.5 半导体三极管 14.5.1 基本结构 14.5 半导体三极管 晶体管的结构示意图和表示符号 (a)NPN型晶体管； (a) N N C E B P C E T B IB IE IC (b) B E C P P N E T C B IB IE IC (b)PNP型晶体管 C E 发射区 集电区 基区 集电结 发射结 N N P 基极 发射极 集电极 B C E 发射区 集电区 基区 P 发射结 P 集电结 N 集电极 发射极 基极 B 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区： 掺杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 两个二极管串联