第7章半导体磁敏传感器.PDFVIP

第 7 章半导体磁敏传感器 半导体磁敏传感器是利用半导体材料中的自由电子和5!穴随磁场而改变其运动方向这一 特性制成的.按其结构可分为体盟和绪却两大类.体型的主要有霍尔传感吉普(材料主要是 InSb、 InAs、 Ge. Si 、 GaAs) 和磁敏电阻(材料主要有 InSb、 InAs) ，结型的主要有磁敏 二极管(材料主要是Ge、 Si ) 和l磁敏三极管〈材料主要是Si). 7. 1 霍尔传感器 iIi尔传感怨是一种基于$î尔效应的磁传感得.霍尔效应自 1879 年被美国物理学家爱德 文 · 霍尔发现至今已有 100 多年的历史，但直到20 世纪50 年代，由于微电子学的发展， 才 被震视和l开发，现在. 已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并得到广泛的应用。霍尔 传感器可以检测磁场及某变化， .ôJ在各种与磁场有关的场合中使用. 霍尔传感吉普具有许多优点，其编构牢固，体积小，质量径，寿命长，安装方便. 功耗 小.频率高{可达 lMHz) ，耐震动，不怕灰尘、汹污、水汽及主k雾您的污染或腐蚀. 按照徨尔传感哥哥的功能可将它们分为线性.m尔传感稽和开关迎霍尔传感器.前者输出筷 拟量. 后者输出数字盘. 线性霍尔传感器的精度高.线性度好，开关型.m尔传感君曹先触点，无磨损，输出波形消 晰，元抖动.元凶跳， 位置重复精度高〈可这微米级).采用了各种补偿和保护措施的霍尔 传感稽的工作温度范围很宽，可达-55~150C. 霍尔传感器可直接刷子检测磁场或磁特性，也可通过在被检对象上人为设置的磁场，来 检测许多非电、非磁的物理盈.例如力、力矩、 压力、应力、位置、俄移、速度、加速度、 角度、角速度、转数、转速以及工作状态发生变化的时间等，还可转换成电量来进行检测和 控制. 7. 1. 1 霍尔效应 如l到 7- ) 所示. 一块半导体薄片， 其长度为I ，宽度为 b ， 厚度为d ， 聋子磁感应强度 为H 的磁场中，如果在其相对的两边通人电流1 ， 且电流与磁场垂直，则在半导体的另两边 将会产生一个电势差U(oI ，这种现象就是霍尔效应， 产生的电势差称为霍尔电压. 利用霍尔 效应制成的元件称为霍尔元件.半导体长度方向上的两个金属电极称为控制电钮 (或输入电 - 144 一 1 7 章丰导体，曾敏传.t. 极)，沿该方向流动的电流 I 称为控制电流;宽度方向上的两个电极称为霍尔电银 (或输出 电极)。 国 7- ) 霍尔敏应 霍尔效应是半导体中的自由电荷在磁场中受到j洛仑兹力作用而产生的. 设阁7-1 中的半导体材料是N型半导体，导也的钱流于是电子.当半导体中通以电流 I 时.在磁场作用下，电子将受到洛仑·慈力 F， 的作用，方向如i蜀中所示，其大小为 1-,. = quB (7- 1) 式中: q 为我流子电街5 u 为裁流子的运动速度$ β 为磁感应强度a 在洛仑兹力的作用下，电子向-侧偏转，使i哀。即l形成负电荷的积躁，另一侧则形成正电 衔的积累。这样.前、后两端困因电荷积累而建立了一个电场EH 称为霍尔电场. 该电场 对电子的作用力与洛仑兹力的方向相反，即阻止电荷的继续权累.当电场力与洛仑兹11相等 时，达到动态平衡，这时有 qEII 言 机，B 霍尔咆场的强度为 E例 = vB (7-2) 可表示为 所以，霍尔电fF