ZnO纳米材料 ZnO薄膜 ZnO多孔球 晶体生长 室温铁磁 水热法论文.docVIP

ZnO纳米材料论文：氧化锌微纳米结构的可控生长及物性研究 【中文摘要】氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙半导体,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV。由于ZnO的激子能够在室温下稳定存在,因而被认为是替代GaN的制备光电器件的理想材料。本文主要采用水热法可控生长氧化锌微纳米材料,在此基础上研究其光学、电学及磁学性质。首先,我们通过调控生长条件分别制备了氧化锌微纳米柱、微纳米柱薄膜、多孔球和多孔薄膜,并深入探讨了其生长机理我们发现衬底上的氧化锌籽晶层和反应前驱液中柠檬酸钠在反应过程中起着决定性的作用：衬底控制着成核过程,而柠檬酸钠则决定了产物的晶相。因此,我们通过控制氧化锌籽晶层和反应前驱液成分,就可以非常容易地选择性生长氧化锌微纳米柱、阵列薄膜、多孔球以及多孔薄膜的方法。接着我们研究了微纳米柱薄膜的导电性能,实验结果表明该薄膜具有优良的导电特性,其载流子迁移率达到了54.8 cm2·V-1·s-1,载流子浓度为-2.73×1018cm-3。简单的工艺,低廉的成本以及突出的电学性能将会使这种结构具备极大潜在应用价值。为了深入了解这种材料的导电机制,我们分别利用光致发光谱,电子顺磁共振谱和X射线光电子能谱,对样品进行了详细地分析,结果表明样品中存在大量... 【英文摘要】Zinc Oxide is a kind of semiconductor with a direct band gap of 3.37 eV at room temperature and exciton binding energy of 60 meV. On behalf of the large exciton binding energy, the exciton can keep stable under room temperature, which makes it potential for blue-ultraviolet and white light-emitting devices, as a substitution of GaN.In this thesis, the growth of micro/nano ZnO material was controlled by hydrothermal method and their optical, electrical and magnetic properties were studied. After the ZnO ... 【关键词】ZnO纳米材料 ZnO薄膜 ZnO多孔球 晶体生长 室温铁磁 水热法 【英文关键词】ZnO nano material ZnO thin film ZnO porous spherical Crystal growth Room temperature ferromagnetic RTFM Hydrothermal 【目录】氧化锌微纳米结构的可控生长及物性研究 摘要 5-6 Abstract 6-7 第一章 前言 10-11 第二章 文献综述 11-28 2.1 氧化锌的性质 11-21 2.1.1 氧化锌基本性质和形态结构 11-14 2.1.2 氧化锌的能带结构 14-15 2.1.3 氧化锌的本征缺陷 15-18 2.1.4 氧化锌的光学特性 18-20 2.1.5 氧化锌的磁学性能 20-21 2.2 Zn_5(OH)_8Ac_2·2H_20(LBZA)简介 21-23 2.2.1 LBZA的基本性质 21-22 2.2.2 LBZA的形貌结构和制备方法 22-23 2.2.3 LBZA的一些应用 23 2.3 小结 23-25 参考文献 25-28 第三章 氧化锌阵列薄膜的制备及其电学性能研究 28-43 3.1 水热法简介和氧化锌纳米材料制备原理 28-29 3.2 水热法制备氧化锌纳米阵列薄膜 29-31 3.2.1 氧化锌籽晶层的制备 29-30 3.2.2 氧化锌纳米阵列薄膜的制备 30 3.2.3 氧化锌纳米阵列薄膜的性能测试方法 30-31 3.3 氧化锌纳米阵列薄膜的性能分析 31-39 3.3.1 氧化锌阵列薄膜的形貌和结构 31-32 3.3.2 氧化锌阵列薄膜的光学性能和缺陷研究 32-37 3.3.3 氧化锌阵列薄膜的电学性能测试 37-39 3.4 小结 39 参考文献 39-43 第四章 Zn_5(OH)_8Ac_2·2H_2O的制备及其生长机理研究 43-55 4.1 实验步骤 43-44 4.1.1 Zn_5(OH)_8Ac_2·2H_20的制备过程 43-44 4.1.2 分析测试方法 44 4.2 LBZA多孔材料的生长机理探讨 44-52 4.2.1 多孔球和阵列薄膜的形貌 44-46 4.