光电子低维结构材料与器件发展.ppt

大的多孔硅制作的Mach-Zehnder干涉器件 多孔光子晶体光纤 传统光纤：存在光能损耗与色散；光子晶体：保证单模传输，提高功率，没有色散 Glass管直径0.8mm，总的20mm，拉制后光纤约为20－200μm，中间空1－10μ，截面缩小1/1000 GaInAsP量子阱光子缺陷激光器 偏光分离器件 利用TE和TM波的禁带的不同性 TM全部通过，TE全部反射 超棱镜现象在集成器件的应用 不同波长的经过光子晶体和硅片（波长差1％，分离角度50，自然结晶仅为0.3） WDM－ADM器件：实现用波长分波器的超高密度集成化 负折射率现象 新现象，界面透镜，图象的传输，开放式微腔 光子晶体与VLSI的集成 光子晶体将光子器件与硅器件集成在一起 光学功能材料的光子晶体的集成 一维光子晶体的研究进展 光子晶体没有缺陷和引入缺陷的光子态密度分布简图 超折色现象：对入射光束的展宽和分光 时间延迟效应：在缺陷频率处，光被高度局域，群速度很低，达到时间延迟作用 双共振二次谐波：基波和二次谐波分别位于带隙的带边位置 光学双稳态：缺陷层为非线性介质，缺陷态频率随着局域光的强度变化，调节入射光频率接近缺陷态频率，对入射光产生反馈，出现双稳态 光子局域化：引入无序 典型的光子晶体的制备技术 成本低廉，可大面积制作 光子晶体是特殊材料必须人工制作 精密机械加工制作 飞秒激光制作（TPA） 用多光束相干的方法产生周期微米结构 各相异性腐蚀 胶体颗粒自组装：等弥散聚苯乙烯或二氧化硅球体（缺点：制备缺陷困难） 合成蛋白石：Sol-gel粒子在水中或挥发性溶媒悬浊分散，沉降自组装成面心立方结构，溶媒蒸发 微模型，微制造法 一维光子晶体：例如，聚苯乙烯和碲的多层镀膜 飞秒激光制作三维光子晶体 脉冲极短，辐照区能量难以扩散 双光子聚合法，聚焦可见光聚合物材料 未曝光材料用溶剂溶解掉 全息光刻制作光子晶体 三束激光干涉产生二维曝光图象 两束激光产生垂直一维光栅 各相异性腐蚀得到的硅柱光子晶体 硅柱直径205纳米高5000纳米 光波导被集成在光子晶体里 胶体颗粒光子晶体制备方法 胶体颗粒：直径1000－10纳米之间的粒子 制备胶体颗粒材料的方法：受控沉淀方法制备无机颗粒，微乳胶液聚合方法制备PMMA 和聚苯乙烯等颗粒 胶体颗粒结构：实心球，核－外壳包裹球，空心球三种 二维自组装方法：（如LB膜）颗粒由于表面强烈的静电结构吸引而自发在液面排列2D阵列 三维自组装方法：重力场中的沉降，通过静电推斥作用实现粒子排列 自组装胶体化学制备光子晶体 50层厚的silica胶体颗粒光子晶体 从聚苯乙烯制备的interted蛋白石光子晶体 难于制备缺陷 利用微模具制备光子晶体 成本低廉，可大面积制作 微模具翻印 稳定的PDMS和聚氨脂（PU）在模板上浇铸出图案 有机改性硅酸盐（或陶瓷）为料浆材料 ORMOSIL激光谐振器 限定组装的蛋白石的生长 小结 光子晶体正在发展新一代光子器件，预期将对光通讯，构造新型微腔激光器，控制光的传播路径，以及信息处理等诸多方面的发展带来重大影响 总结 光电子材料和器件及其发展简史 光电子低维结构 低维结构基础 光电子材料制备技术 （MBE，MOCVD） 光电子低维结构器件 光电子器件（激光器，探测器等） 电学器件（MOSFET，量子点存储器件等） 光学器件（光子晶体） 「サンドイッチ」，「針金状」，「ドット」などの表現を使いわかりやすく説明する ． ． ?単電子メモリの動作を説明する ?電子数を制御する 電流制御から電子数制御に置き換わってくる HEMTのことを説明する． 現状のSiとの違いを言及する GeSi调制掺杂场效应管（MODFET） 异质结双极晶体管（HBT） 电子垂直渡越，工作频率最大 工作电压为正 大电流密度 高跨导gm,输入电压摆幅降低 谐振隧道二极管 1973年Tsu,Esaki（RTD） 1974,Chang 量子耦合器件 负微分电阻（NDR） 量子线沟道MOSFET 硅中窄反型导电层必须出跨导振荡现象 量子点 Vg + ? n=1 n=2 n=3 　　 　kT 静电能量 电子数控制和超低耗电晶体管 单电子效应 单电子效应 e2 2C 单电子晶体管 　　记录密度 (bit/inch2) 　　　　　最小器件尺寸 (nm) 存储器件发展情况 电流控制 电子数控制 1存储＝100e 单电子存储 2DEG系统加调制电极 MBE生长异质结GaAs/AlGaAs Cr-Cu电极 Vp1,Vp3控制量子点和源漏的耦合 Vp2控制两个量子点的耦合 Vg1,Vg2,Vg3控制两个量子点的尺寸 垂直双势垒异质结量子点