基于P_N结的硅太阳能电池的数值分析.docVIP

第 28卷 　 第 4期 2009年 8月 兰 州 交 通 大 学 学 报 Journal of Lanzhou Jiaotong University Vol. 28No. 4Aug. 2009 　　 文章编号 :100124373(2009 0420144203 基于 P 2N 结的硅太阳能电池的数值分析 张彩珍 1,2, 　 刘 　 肃 2, 　 陈永刚 3 (1. 兰州交通大学 电子与信息工程学院 , 甘肃 兰州 　 730070;2. 兰州大学 物理科学与技术学院 , 甘肃 兰州 　 730000; 3. 兰州交通大学 自动化与电气工程学院 , 甘肃 兰州 　 730070 摘 　 要 :在 P 2N 结硅太阳能电池数学模型的基础上 , 利用 Matlab 语言对硅太阳能电池的光电流密度进行了数值模 拟 , 得到了 P 2N 结硅太阳能电池的绝对光谱响应曲线 , 并采用参数分类变化和比较的方法 , 对硅片的器件参数和光 电流密度之间的关系进行了数值分析 , 得出了太阳能电池光电流密度与硅片参数之间的相互关系 , 找出了可以提 高光电流密度的方法 , 实验结论在具体的工艺实践中具有指导意义 . 关键词 :P 2N 结 ; 太阳能电池 ; 绝对光谱响应 ; 光电流密度 中图分类号 :TN323　　　　　 文献标识码 :A 0　 引言 电压和转换效率 , 中包含了诸如 N S p 、 P 区电 子的表面复合速度 S n 、 扩散结深 x j 和电池厚度 H 等多个硅片的器件参数 , 传统的太阳能电池研制常 需要经过试制 →测量 →修改参数 →再试制的多次 反复 , 参数的修改往往依靠工程技术人员的直觉和 经验进行 , 人力和物力浪费很大 . 本文基于 P 2N 结硅 太阳能电池的数学模型 , 采用参数分类变化和比较 的方法 , 利用 Matlab 语言对硅片的器件参数和光电 流密度 J sc 之间的关系进行了数值模拟 , 得出了 J sc 与硅片参数之间的相互关系 , 找出了可以提高光电 流密度的方法 , 实验结论在具体的工艺实践中具有 指导意义 . 1　基于 P 2N 结的硅太阳能电池的数学模型 图 1为均匀掺杂 , 单边突变结 , 小注入条件下常 见的 N +/P 型硅太阳电池的一维结构示意图 , 分析 计算中假定电池温度保持不变 . 对于给定波长 λ而言 , N +/P 型硅太阳电池的光 电流密度 J sc 可以表示为 J sc (λ =J p (λ +J n (λ +J d (λ (1 式中 :J p (λ 、 J n (λ 和 J d (λ 为结边界处 N 、 P 图 1　基于 P 2N 结的硅太阳能电池一维结构示意图 Fig. 1　 One 2dimensional structure diagram of silicon solar cells b ased on P 2N junction 和耗尽 3区单位光谱频带宽度的光生电流密度 , 利 用各区的稳态连续性方程及边界条件可求得 [1] J p =α2(λ L 2 p -1 × +α(λ L p -ch +sh e -α(λ x j D p sh L p +ch L p -α(λ L p e -α(λ x j (2 J n = α2(λ L 2 n -1×e -d (λ (x j +W ×α(λ L n - ch -e -α(λ H +sh +α(λ L n e -α (λ H D n sh L n +ch L n (3 J d =qF (λ (1-C (1-R e -α(λ x j (1-e -α(λ W (4 式中 :x j 为发射区 (N 区 扩散结深 ; H 为电池 3收稿日期 :2009202225 基金项目 :兰州市科技计划项目 (0722246 作者简介 :张彩珍 (19722 , 女 , 甘肃临洮人 , 副教授 , 博士生 . 第 4期 张彩珍等 :基于 P 2N 结的硅太阳能电池的数值分析 厚度 ; W 为 P 2N 结耗尽层宽度 ; H ′ (见图 1 为基区 (P 区 宽度 ; λ为入射光波长 ; F (λ 为投射在电池 上 , 波长为 λ, 单位带宽每平方厘米第秒的入射光子 数 ; C 为栅指电极遮光损失 , 定义为栅指遮光面积在 太阳电池总面积中所占的百分比 ; α(λ 为吸收系 数 ; R (λ 为 入 射 光 子 的 反 射 损 失 , 对 硅 而 言 , R =34%[1]; q 为电子电荷 , 等于 1. 602×1019C ; S p 、 D p 及 L p 为 N 区空穴的表面复合速度 , 扩散系数及 扩散长度 ; S n 、 L n 及 D n 为 P 区电子的表面复合速度 、 扩散系数及扩散长度 . 2　模