电子元器件中和薄膜技术.pptVIP

电子元器件中的薄膜技术 孟祥龙 硅基集成电路 平面工艺，多层加工 以硅单晶片为单位制造 发展迅速，重要 摩尔定律 薄膜技术—电子集成电路—信息社会基础 电子系统重量减少（几百公斤-几公斤），功耗降低（几千瓦-几十瓦） 战争为例 二战 混凝土 9000枚 越战 200-300枚 海湾战争 1-2枚 集成电路加工的基本操作 形成某种材料的薄膜 在各种材料的薄膜上形成需要的图形 通过掺杂改变材料的电阻率或杂质类型 形成材料薄膜的方法 化学气相沉积（CVD） 物理气相沉积（PVD） 热氧化方法 Si ＋ O2 － SiO2 光刻和刻蚀形成需要的图形 正胶和负胶的区别 掺杂改变材料的电阻率或杂质类型 常用掺杂方法 扩散高温过程 离子注入常温下进行，注入后需要高温退火处理 * 掺杂类型、掺杂浓度、结深（从硅中表面到扩散层浓度等于称底浓度处之间的距离,一般以微米为单位计量 ） 典型的CMOS结构和工艺 MOS晶体管的结构和分类 MOS晶体管的平面结构和剖面结构 n阱CMOS结构和工艺 n阱CMOS工艺基本流程和剖面图 MOS晶体管的平面结构和剖面结构 MOS晶体管的实际尺寸 MOS晶体管的类型 n阱CMOS工艺结构特点 n阱CMOS主要工艺步骤 1. 衬底硅片的选择 100晶向无缺陷的单晶硅片 8英寸硅片，硅片厚度约700um p 型硅片，电阻率为10-50Ωcm 2.制作