新结构微波功率SiGe HBT的数值分析.docVIP

第26卷　第1期2005年1月　　 半　导　体　学　报 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS Vol.26　No.1 　　Jan.,2005 新结构微波功率SiGeHBT的数值分析 刘　亮1　王玉琦2　肖　波1　亢宝位1　吴　郁1　王　哲1 (1北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京　100022) (2香港科技大学物理系,香港) 摘要:提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管(SiGeHBT),该结构通过在传统SiGeHBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2的方法来改善器件的高频性能.将相同尺寸的新结构和传统结构的器件仿真结果进行比较,发现新结构器件的基区2集电区电容减少了55%,因而使器件的最大有效增益提高了大约2dB,其工作在低压 (Vce=415V)和高压(Vce=28V)情况下的最高振荡频率分别提高了24%和10%. 关键词:微波功率SiGeHBT;MSG/MAG;最高振荡频率 EEACC:1350F;2560P 中图分类号:TN322　　　文献标识码:A　　　文章编号:025324177(2005)0120096206 1　引言 最近十几年对SiGeHBT的研究使其进入RF/微波功率放大器的应用领域.国内已经制作出能应 用于低压无线通讯的微波SiGeHBT[1].1996年Schüppen等人采用负载拉升测量法,测出工作在119GHz下的SiGeHBT样管输出功率为1W时,其功率附加效率(PAE)达到了44%[2].Hobart等人首次对工作在高压情况下的SiGeHBT的小信号高频特性进行了研究[3],测出器件的BVCBO达到40V,fmax和fT分别为22GHz和10GHz.而工作于S波段的微波功率晶体管输出功率达到了230W[4].用于RF基站的微波功率SiGe的研究也在进行当中[5]. 随着器件尺寸的减小,各种寄生电阻、电容对器件的高频工作性能的影响逐渐增加,例如外基区2集电区电容(Cbcx)因其在Cbc中的比例增加而成为影响器件高频性能的主要因素之一.因为器件的最高振荡频率随着Cbc的增大而减小,所以减小Cbcx对设计高频功率放大器有重要意义.在过去的文献中已经提到一些减小Cbcx的方法,例如离子注入隔离法[6]以及在外基区下挖槽去掉部分集电区的方法[7,8].但是采用离子注入隔离法后Cbcx仍然占Cbc 的大部分;而在外基区下挖槽去掉部分集电区的方法虽然能大大减少Cbcx,却同时使外基区悬空而造成力学结构的不稳定性.其他的方法如通过选择外延[9]来减少Cbcx,其工艺非常复杂(仅在制作基区的时候就需要做七次生长),且主要应用于实现小电流器件的集成. 本文首次提出一种新的微波功率SiGeHBT结构,该结构通过在外基区下的集电区挖槽并填充SiO2的方法来改善器件的高频性能.因为SiO2的介电常数比Si小很多(前者大约为后者的1/3),所以采用这种方法能大大减少Cbcx.本文采用二维器件仿真软件(DESSIS)对器件进行仿真分析.在选取合理的模型之后,对两种结构的器件分别进行直流及交流小信号仿真,并对仿真后的数据进行分析.从分析结果能明显看出新结构SiGeHBT用作高频功率放大器时性能的改善. 2　器件的结构和模型 图1(a),(b)分别为传统结构和新结构SiGeHBT的横截面图.后者用SiO2来替代外基区下集电区的Si,因为SiO2的介电常数仅为Si的1/3,所以能有效减少Cbcx.与传统结构相比,实现新结构要增 2003212215收到,2004202213定稿 第1期刘　亮等:　新结构微波功率SiGeHBT的数值分析97 图1　SiGeHBTs的横截面图　(a)传统结构;(b)新结构 Fig.1　SchematiccrosssectionofSiGeHBTs　(a)Con2ventionalstructure;(b)Novelstructure 加等离子体刻槽、填补SiO2和平坦化处理等工艺步骤.采用这种方法可以避免普通LOCOS工艺[10] 因 鸟嘴”效应而产生寄生电容的缺点.关于平坦化的技术,已经有详细的报道,并在隔离结构绝缘层厚度 为119μm时取得良好的平坦化效果[11].Schonenberg等人的研究表明,生长在SiO2槽上的SiGe应变层依然有很好的稳定性[12],所以采用这种工艺制造出文中的新结构SiGeHBT是完全现实可行的.图2为新结构SiGeHBT的几何尺寸示意图(晶体管结构两边对称,图上只画出半边),它和相应的传统结构的SiGeHBT区别仅在于增加了SiO2槽.器件的各部分 尺寸在表1中给出;其掺杂浓度和基区中Ge的百分比分布在表2中列出. 表1　器件的结构参数 μm Table1　Structureparametersofthedev