模电章节复习要求.pptVIP

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  • 2020-04-09 发布于湖北
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* 复习1 华侨大学电工电子教学部 qwLin 单片机原理及应用 模拟电子技术 电工电子教学部 模拟电子技术 复 习 要 求 本章主要内容: 1.杂质半导体和PN 结。  2.半导体二极管 3.晶体管   4.场效应管 第1章 常用半导体器件 带负电的自由电子 带正电的空穴 掺5 价杂质-N 型半导体 掺3 价杂质-P 型半导体 PN 结具有单向导电性、反向击穿特性、温度特性、电容效应 空穴为多子 自由电子为多子 稳压管、发光管、光电管 伏安特性 有NPN 型、 PNP 型 有三个极、三个区、两个PN结 分类 结型场效应管 绝缘栅场效应管 N沟道和P沟道两类 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 本章应掌握: 1. 概念与原理:自由电子与空穴、扩散与漂移、PN结、耗尽层、导电沟道、二极管的单向导电性、稳压管的原理、晶体管与场效应管的放大及三个工作区。   2. 二极管、稳压管、晶体管、场效应管的工作原理、外特性和主要参数。 本章重点: 1. 二极管的单向导电性、稳压管的原理。  2. 三极管的电流放大原理,    如何判断三极管的管型 、管脚和管材。   3. 场效应管的分类、工作原理和特性曲线。 第2章 基本放大电路 本章主要内容: 1.放大的概念  2.放大电路的组成原则   4.放大电路的分析方法   5.晶体管和场效应管基本放大电路

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