半导体物理学第七版刘恩科编著.pptxVIP

理想半导体： 1、原子严格地周期性排列，晶体具有完整的晶格 结构。 2、晶体中无杂质，无缺陷。 3、电子在周期场中作共有化运动，形成允带和禁带——电子能量只能处在允带中的能级上，禁带中无能级。由本征激发提供载流子 ?本征半导体——晶体具有完整的（完美的）晶格结构，无任何杂质和缺陷。 ;;实际半导体（extrinsic）：;杂质和缺陷对能带结构的影响：; 1 硅、锗中的浅能级和深能级杂质以及杂 质能级，了解浅能级杂质电离能的计算，了解杂 质补偿作用。 2 III-V族化合物主要是GaAs中的杂质能级。 3 了解缺陷、位错能级。;2.1.1替位式杂质、间隙式杂质; 间隙式原子的半径一般比较小。;碱金属原子在半导体尤其在Si中易扩散，引起器件 性能的恶化;金刚石型晶体结构中的两种空隙;单位体积中的杂质原子数－－杂质浓度; 两种杂质特点： 间隙式杂质：原子一般比较小， 如：锂离子，0.068nm 替值式杂质时： 1）杂质原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较相近 2）价电子壳层结构比较相近 如：Ⅲ，Ⅴ族元素 ;2.1.2施主杂质、施主能级 Donor impurity and donor level;杂质：半导体中存在的与本体元素不同的其它元素。杂质出现在半导体中时，产生的附加势场使严格的周期性势场遭到破坏，可能在禁带中引入允许电子具有的能量状态（即能级）。;举例：Si中掺磷P（Si：P）;施主杂质 V族元素在硅、锗中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称此类杂质为施主杂质或n型杂质。 施主电离 施主杂质释放电子的过程。 施主能级 被施主杂质束缚的电子的能量状态，记为ED，施主电离能量为ΔED。 n型半导体 依靠导带电子导电的半导体。;施主杂质：束缚在杂质能级上的电子被激发 到导带Ec成为导带电子，该杂质电离后成为正电 中心（正离子）。这种杂质称为施主杂质。;杂质电离能：△ED=EC-ED ;2.1.3受主杂质、受主能级Acceptor impurity and acceptor level;;受主杂质 III族元素在硅、锗中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质或p型杂质。 受主电离 受主杂质释放空穴的过程。 受主能级 被受主杂质束缚的空穴的能量状态，记为EA。受主电离能量为ΔEA p型半导体 依靠价带空穴导电的半导体。;受主 电 离 能： △EA=EA-EV;（浅）杂 质 半 导 体;;在单晶生长过程中掺入杂质 在高温下通过杂质扩散的工艺掺入杂质 离子注入杂质 在薄膜外延工艺过程中掺入杂质 用合金工艺将杂质掺入半导体中;2.1.4 浅能级杂质电离能简单计算;正、负电荷所处介质的介电常数为：;估算结果与实际测 量值有相同数量级;2.1.5杂质的补偿作用;2.1.6深能级杂质;（1）浅能级杂质 ; ;例1：Au（Ⅰ族）在Ge中;（1）Au+： Au0 – e Au+;(2)Au0;（3） Au一： Au0 + e Au一;（4） Au二：Au一 + e Au二;（5） Au三： Au二 + e Au三;金是I族元素 故可失去一个电子，施主能级略高于价带顶； 也可得到三个电子，形成稳定的共价键结构。但由于库仑力的排斥作用，后获得电子的电离能大于先获得电子的电离能。即EA3EA2EA1。 金在Ge中存在ED、 EA3、EA2、EA1四个孤立能级。;2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级;I族元素 一般为引入受主能级，如银受主能级为（Ev+0.11）ev，（Ev+0.238）ev；金受主能级为（Ev+0.09）ev；替位式铜受主能级为（Ev+0.14）ev，（Ev+0.44）ev等 II族元素 价电子比III族元素少一个，有获得一个电子完成共价键的倾向。通常取代III族原子位于格点上，表现为受主杂质。 III，V族元素 掺入不是由他们本身形成的III-V族化合物，实验中测不到杂质影响。是电中性杂质，在禁带中不引入能级。 ;等电子陷阱;1、N在GaP中：NP 2、C在Si中：CSi 其存在形式可以是 （1）替位式 （2）复合体，如 Zn-O 在磷化镓中，Zn原子代替Ga原子位置，O原子代替P原子位置，当两个杂质原子处于相邻晶格点时，形成一个电中性的Zn-O络合物;束缚激子;举例：GaAs中掺Si（Ⅳ族） Ga：Ⅲ族 As：Ⅴ族 ; VI族元素