第0章 8051单片机概念.pptVIP

第 0 章 单片机相关基础知识 六、数制和码制 例：将BCD 码0001 0010 0101分别用十进制数和二进制数表示。 解：1) (0001 0010 0101)BCD= 125 第 0 章 单片机相关基础知识 六、数制和码制 例：将BCD 码0001 0010 0101分别用十进制数和二进制数表示。 解：1) (0001 0010 0101)BCD= 125 十六进制与二进制之间的转换： (10011100101101001000)B= 从末位开始 四位一组 (1001 1100 1011 0100 1000)B = ( )H 8 4 B C 9 =( 9CB48 ) H 2. “或”门 “或”门电路逻辑符号 (1) 逻辑表达式： F = A+ B (2) 真值表 3. “非”门 “非”门逻辑符号 (1) 逻辑表达式： (2) 真值表 4、其它门电路 1）. “与非”门电路 (1) 逻辑表达式： (2) 真值表 图10 “与非”门电路逻辑符号 2. “或非”门电路 (1) 逻辑表达式： (2) 真值表 图7. 11 “或非”门电路逻辑符号 例。下图所给出输入信号A 和B 的波形，试画出“与”门输出端 F = A B 和 “或”门输出端F = A + B的波形。 八、 集成电路知识 集成电路是一种采用特殊工艺，将晶体管、电阻、电容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文为缩写为IC，也俗称芯片。 集成电路是六十年代出现的，当时只集成了十几个元器件。 后来集成度越来越高，1988年16M DRAM问世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管，现在每平方厘米硅片上可集成上亿个晶体管。 集成电路根据不同的功能用途分为模拟和数字两大派别。其封装又有许多形式。“双列直插”和“单列直插”的最为常见；精密产品中用贴片封装的IC等。 数字IC多用＋5V的工作电压，模拟IC工作电压各异。 1.集成电路的两种生产工艺： CMOS工艺和TTL工艺 CMOS电路比TTL电路较晚问世，但应用和发展都较快，大有后来者居上、赶超并取代之势，目前应用很广泛，是学习电子技术的重要电路。 CMOS是单词的首字母缩写， 是互补型金属氧化物半导体电路的英文字头缩写(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)，它由绝缘场效应晶体管组成。 TTL是Transistor Transistor Logic 的缩写，表示晶体管晶体管逻辑集成电路，是集成电路的最早产品。 2.CMOS电平与TTL电平比较： “ 1”逻辑电平电压用H表示，“0”逻辑电平用L表示。 （1）、TTL电平标准 输出 L： 0.8V ； H：2.4V。 输入 L： 1.2V ； H：2.0V （2）、CMOS电平标准 输出 L： 0.1*Vcc ； H：0.9*Vcc。 输入 L： 0.3*Vcc ； H：0.7*Vcc. TTL器件输出低电平要小于0.8V，高电平要大于2.4V。输入，低于1.2V就认为是0，高于2.0就认为是1。于是TTL电平的输入低电平的噪声容限就只有(0.8-0)/2=0.4V，高电平的噪声容限为(5-2.4)/2=1.3V TTL与CMOS的区别 1.电平的上限和下限定义不一样，CMOS具有更大的抗噪区域。 2.电流驱动能力不一样，TTL一般提供25毫安的驱动能力，而CMOS一般在10毫安左右。 3.需要的电流输入大小也不一样，一般TTL需要2.5毫安左右，CMOS几乎不需要电流输入。 6.很多器件都是兼容TTL和CMOS的，如果不考虑速度和性能，一般器件可以互换。 4.功耗；TTL门电路的空载功耗比CMOS门的静态功耗大。 5.速度；通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。 1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； ? 　　 1951年：场效应晶体管发明； 　　1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； 　　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺； 　　1964年：Intel摩尔提出摩尔定律，预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍； 　　1971年：Intel推出1kb动态随机存储器（DRAM），标志着大规模集成电路出现； 　　1971年：全球第一个微处理器400