硅集成电路制造工艺第0章绪论.pptVIP

绪论 引言 集成电路制造工艺发展状况 集成电路工艺特点与用途 本课程内容 1 引言 ?早在1830年，科学家已于实验室展开对半导体的研究。 ? 1874年，电报机、电话和无线电相继发明等早期电子仪器亦造就了一项新兴的工业──电子业的诞生。? 基本器件的两个发展阶段 分立元件阶段（1905～1959） 真空电子管、半导体晶体管 集成电路阶段（1959～） SSI、MSI、LSI、VLSI、ULSI 什么是集成电路制造工艺 集成电路工艺，是指用半导体材料制作集成电路产品的方法、原理、技术。 不同产品的制作工艺不同，但可将制作工艺分解为多个基本相同的小单元（工序）——单项工艺。 不同产品的制作就是将单项工艺按需要顺序排列组合来实现的——工艺集成。 微电子工业生产过程图 npn-Si双极型晶体管芯片工艺流程----硅外延平面工艺举例 2 集成电路制造工艺发展历程 诞生:1947年12月在美国的贝尔实验室，发明了半导体点接触式晶体管，采用的关键工艺技术是合金法制作pn结。 合金结晶体管 诞生 1958年在美国的德州仪器公司和仙童公司各自研制出了集成电路，采用的工艺方法是硅平面工艺。 Jack Kilby’s First Integrated Circuit 仙童（Fairchild）半导体公司 1959年7月，诺依斯提出：可以用蒸发沉积金属的方法代替热焊接导线，这是解决元件相互连接的最好途径。 1966年，基尔比和诺依斯同时被富兰克林学会授予巴兰丁奖章，基尔比被誉为“第一块集成电路的发明家”而诺依斯被誉为“提出了适合于工业生产的集成电路理论”的人。 1969年，法院最后的判决下达，也从法律上实际承认了集成电路是一项同时的发明。 发展 60年代的出现了外延技术，如：n-Si/n+-Si，n-Si/p-Si。一般双极电路或晶体管制作在外延层上。 70年代的离子注入技术，实现了浅结掺杂。IC的集成度提高得以实现。 新工艺，新技术，不断出现。（等离子技术的应用，电子束光刻，分子束外延，等等） 张忠谋：台湾半导体教父 全球第一个集成电路标准加工厂（Foundry）是1987年成立的台湾积体电路公司，它的创始人张忠谋也被誉为“晶体芯片加工之父”。 戈登-摩尔提出摩尔定律 Explosive Growth of Computing Power 未来 电子产品发展趋势：更小，更快，更冷 现有的工艺将更成熟、完善；新技术不断出现。当前，光刻工艺线宽已达0.045微米。由于量子尺寸效应，集成电路线宽的物理极限约为0.035微米，即35纳米。 另外，硅片平整度也是影响工艺特征尺寸进一步小型化的重要因素。 微电子业的发展面临转折。上世纪九十年代纳电子技术出现，并越来越受到关注。 近10年来 ，“轻晶圆厂”（fab-light）或“无晶圆厂”（fabless）模式的兴起，而没有芯片设计公司反过来成为IDM（Integrated Device Manufacturer） 。 5年前英特尔做45纳米时，台积电还停留在90纳米，中间隔了一个65纳米。但到45纳米，台积电开始“抢先半步”。即遵循“摩尔定律”的英特尔的路线是45、32、22纳米，台积电的路线则是40、28、20纳米。 3 集成电路工艺特点及用途 超净 环境、操作者、工艺三方面的超净，如超净室，ULSI在100级超净室制作，超净台达10级。 超纯 指所用材料方面，如衬底材料、功能性电子材料、水、气等； Si、Ge单晶纯度达11个9。 高技术含量 设备先进，技术先进。 高精度 光刻图形的最小线条尺寸在深亚微米量级，制备的介质薄膜厚度也在纳米量级，而精度更在上述尺度之上。 大批量，低成本 图形转移技术使之得以实现。 超净环境 21世纪硅微电子技术的三个主要发展方向 特征尺寸继续等比例缩小 集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC)---- SoC是一个通过IP设计复用达到高生产率的软/硬件协同设计过程 微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业和新的学科，例如MEMS、DNA芯片等----其核心是将电子信息系统中的信息获取、信息执行与信息处理等主要功能集成在一个芯片上，而完成信息处理处理功能。 工艺课程学习主要应用 制作微电子器件和集成电路 微机电系统 (microelectromechanicol System MEMS)的所依托的微加工技术 纳米技术，如光刻—图形复制转移工艺，MBE等 4 本课程内容 重点介绍单项工艺和其依托的科学原理。 简单介绍典型产品的工艺流程，芯片的封装、测试，以及新工艺、新技术、工艺技术的发展趋势。 讲课内容： 知识领域1：集成电路单项工艺（A） 知识单元A1：半导体制造工艺发展、衬底制备、热氧化、扩散、离子注入、薄膜工艺（26学时） 知识单元A2：