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* 第6章 半导体器件基础6.1 半导体基本知识 6.1.1 本征半导体 图6-1 硅和锗简化原子结构模型，它们都是四价元素，最外层轨道上都有四个阶电子。 图6-2 本征半导体晶体结构示意 图6-3 本征半导体中的自由电子和空穴 * 原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等， 人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。 在外电场的作用下,使空穴产生定向移动，形成空穴电流。 半导体中存在着两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴 本征半导体自由电子数量很少，电阻率很大，因此导电能力差， 不能作半导体器件使用。 6.1.2 杂质半导体 N（Negative）型半导体: 在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成N（Negative）型 半导体，也称电子型半导体。在N型半导体中自由电子（结合后多一个电子）是 多数载流子 。它主要由杂质原子提供；另外，硅晶体由于热激发会产生少量的电子 空穴对，所以空穴是少数载流子。 五价杂质原子因失去一个电子而带单位正电荷而成为正离子，因此五价杂质 原子又称为施主杂质。 P（Positive）型半导体： 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等则形成了P（Positive）型 半导体，也称为空穴型半导体（三电子与半导体结合留下一个空穴）。 * 空穴是其主要载流子，而电子是少数载流子。 由于3价杂质原子可接受自由电子形成空穴，故称为受主杂质。 6.1.3 PN结及其特性 在两种半导体（P- N）的结合面上会形成一个P- N 薄层，称为PN结 由于交界面两侧浓度相差使电子由N 区向P 区扩散；空穴由P区向N区扩散。 在P区和N区的交界处形成了方向由N区指向P区的内电场，在此电场的作用下， 载流子将作漂移运动，方向正好与扩散运动方向相反，阻止扩散运动 。 当达到平衡时，扩散运动作用与漂移运动作用相等，通过界面的载流子数为0， 即PN结的电流为0。此时在PN区交界处形成一个缺少载流子的高阻区，称为耗尽层。 PN结具有下列特性： （1）单向导电性 将电源正极接P区，负极接N区，称正向接法或正向偏置。与自建场方向 相反，削弱了内电场，使耗尽层变窄，这样扩散作用就会大于漂移作用 。 形成正向电流，其方向是由电源的正极通过P区、N区到电源负极。此时 PN结处于导通状态 。 * 反向电流很小，PN结处于截止状态 ，反向电阻值很大。 PN结外加正偏电压时，形成较大的正向电流，PN结呈现较小 的正向电阻；外加反偏电压时，反向电流很小，PN结呈现很大 的反向电阻，这就是PN结的单向导电特性。 （a） 外加正向电压 （b） 外加反向电压 （2）反向击穿性 （3）电容性 将电源正极接N区，负极接P区，称反向接法或反向偏置。 与自建场方向相同 ，增强了内电场，使耗尽层变宽，漂移作 用就会大于扩散作用 ，称为反向电流。 * 6.2 半导体二极管 6.2.1 二极管的结构 二极管（PN结）一般分为点接触型、面接触型和平面型三类 6.2.2 二极管的特性 二极管的伏安特性可用 特性曲线表示，也可用方 程表示。 对不同频率的信号，PN呈现的阻抗特性也不同。 当外加正向电压不同时，PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同， 这就相当电容充放电过程，呈现电容效应。 阳极为P区，阴极为N区。 * （a）硅二极管的伏安特性曲线 （b）锗二极管的伏安特性曲线 二极管的伏安特性 曲线可用下式表示 式中IS 为反向饱和电流，U 为二极管两端的电压降，UT =kT/q 称为温度的电压当量，k为玻耳兹曼常数，q 为电子电荷量，T 为热力学温度。 室温（相当T=300 K），则有UT=26 mV。 导通电压，或称门限电压、死区电压，硅管的Uon约为 0.6~0.8伏，锗管的Uon约为0.1~0.3伏。二极管加反向电压时， 反向电流数值很小 。 反向击穿有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式。 反向电压足够高时，耗尽层内电场很强，雪崩击穿。 图6-6 二极管的伏安特性曲线 * 电流过大时，PN结耗散功率超过允许值，导致PN结过热而烧坏 。 6.2.3 二极管的主要参数 （1）最大整流电流IDM （2）最大反向工作电压URM （3）最大反向电流IRM （4）最高工作频率fM 【例6.1】 【例6.2】 6.2.4 二极管的应用 1. 二极管的整流 【例6.3】 2. 限幅电路 【例6.4】 3. 开关电路 【例6.