数字集成电路第4章MOS集成电路器件基础.pptVIP

可见， 在W/L不变的情况下， gm与(UGS-UTH)成线性关系， 与ID的平方根成正比； 在ID不变的情况下， gm与(UGS-UTH)成反比。 其变化曲线如图 所示。 gm随电压(UGS-UTH)和漏电流ID的变化关系曲线 四. MOS管的特征频率fT MOS管的特征频率为 其中, τ为电子在沟道中的渡越时间， 有 式中， L为沟道长度， μn为电子迁移率， E为沟道电场强度(E=UDS/L) ，代入得 以上分析表明： ·MOS场效应管的性能与宽长比(W/L)有很强的依赖关系; ·沟道长度L越小， fT及gm越大， 且集成度越高, 因此， 减小器件尺寸有利于提高器件性能。 ·提高载流子迁移率μ有利于增大fT及gm， NMOS的μn比PMOS的μp大2～4 倍， 所以NMOS管的性能优于PMOS管; ·体效应(衬底调制效应)、 沟道调制效应(λ与UA)和亚阈区均属于二阶效应， 在MOS管参数中应有所反映。 一、CE规则按比例缩小理论 出发点：如果在缩小尺寸的过程中能够保证器件内部的电场强度不变，则器件性能就不会退化。 要求：所有几何尺寸，包括横向和纵向尺寸，都缩小 倍； 衬底掺杂浓度增大 倍；电源电压下降 倍。 4.4 MOS器件按比例缩小 一、CE规则