半导体器件物理_孟庆巨 (2).ppt

3、 衬底偏置效应 VBS≠0，衬底加偏压后对MOSFET的特性将有一系列的影响。 加衬偏电压后，即使VDS＝0，沟道也处于非平衡状态，由于表面空间电荷区的宽度随着衬底偏置电压的增大而展宽，会有更多的空穴被耗尽，使表面空间电荷区的面密度也随之而增大。因而要在半导体表面产生同样数量的导电电子，必须加比平衡态更大的栅源电压，阈值电压也就随偏置电压的增大而增大。 由于反型层电荷减少，沟道电导下降，衬底偏置将使IDS下降。 * PPT课件 4、MOSFET的直流特性曲线 （1）MOSFET的转移特性曲线 反映了栅对漏源沟道电流的调控情况 转移特性曲线斜率gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。gm也称为跨导 跨导的定义式如下: gm=?ID/?VGS? VDS=const * PPT课件 （2）MOSFET的输出特性曲线 * PPT课件 四、MOS场效应晶体管的种类 若栅电压为零时不存在导电沟道，必须在栅上施加电压才能形成反型层沟道的器件称为增强（常闭）型MOSFET；若在零偏压下即存在导电沟道，必须在栅上施加偏压才能使沟道内载流子耗尽的器件成为耗尽（常开）型MOSFET。 N沟增强型、耗尽型 P沟增强型、耗尽型 * PPT课件 1、n沟和p沟 按沟道载流子的类型来划分 nMOSFET：电子导电 pMOSFET：空穴导电 2、增强与耗尽 VGS=0，VDS、VBS一定值时