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外延法制备石墨烯 近些年随着微电子工业的迅速发展， 硅基集成电路芯片技术正在逼近摩尔定律的 物理极限，科学家预言石墨烯有望替代硅材料称为后摩尔时代电子器件发展的重 要角色。瑞典皇家科学院在 A. K. Geim 和 K. S. Novoselov 因为发现石墨烯而 获得诺贝尔物理学奖时列出的石墨烯潜在应用产业。 石墨烯的奇特的物理性质如极高的载流子迁移率（约 250,000 cm2V-1 ·s-1 ）、 室温下亚微米尺度的弹道传输特性、 反常量子霍尔效应、 极优的力学性能 （杨氏 模量 ~5000W m-1· K-1· ，断裂强度 125GPa ）以及电子自旋输运、超导电性等， 使其在纳米电子学和自旋电子学元器件方面拥有非常广阔的发展前景。 同时，平 面的石墨烯片很容易使用常规技术加工， 甚至可能在一层石墨烯单片上直接加工 出各种半导体器件和互联线，从而获得具有重大应用价值的拳坛集成电路。 材料的制备是实现其功能化应用的基础， 大面积高质量石墨烯的制备仍然是困扰 科研人员的一大难题。 石墨烯虽然可以通过很多种生长方式获得， 如机械剥离法， 以单晶金属为衬底的 CVD 法化学氧化还原法等，但是碳化硅外延生长法被普通 认为是实现工业化制备和生产石墨烯的最有效途径之一。 所谓的外延法，即在一个晶格结构上通过晶格匹配生长出另外一种晶体的方法。 与其它制备方法比较， 外延法是最有可能获得大面积、 高质量石墨烯的制备方法。 所获得的石墨烯具有较好的均一性，且与当前的集成电路技术有很好的兼容性。 根据所选基底材料的不同， 外延生长方法包括碳化硅外延生长法和金属催化外延 生长法。 金属催化外延生长法是在超高真空条件下将碳氢化合物通入到具有催化活性的 过渡金属基底如 Pt 、Ir 、Ru、Cu 等表面，通过加热使吸附气体催化脱氢从而制 得石墨烯。 气体在吸附过程中可以长满整个金属基底， 并且其生长过程为一个自 限过程，即基底吸附气体后不会重复吸收，因此，所制备出的石墨烯多为单层， 且可以大面积地制备出均匀的石墨烯。 金属外延法基本特点是： 所制备的石墨烯 大多具有单层结构，能够生长连续、均匀、大面积的单层石墨烯。较之 SiC 外延 法，金属外延石墨烯还具有易于转移的优点（通过化学腐蚀去掉金属基底）。其 基本生长机理是：在高真空 /H2 气氛条件下， C 和金属的亲和力比 Si、N 、H 和 O 等元素的高，因而 Si 和 H 元素均可被脱除，而溶解在金属表面中的 C 则在其 表面重新析出结晶重构生长出石墨烯。 在石墨烯生长过程中，当地一层石墨烯覆盖金属表面大约 80% 时，第二层石墨 烯才开始生长， 底层石墨烯会与衬底产生强烈的相互作用， 而第二层与衬底之间 只受到弱电耦合的作用， 可以与金属衬底完全分离， 得到的单层石墨烯具有较好 的电学性质。 一旦当其表面被石墨烯完全覆盖后， 石墨烯的生长立即停止， 表现 出自限制生长模式。 因此，通过选择合适的金属衬底和工艺参数， 即可实现大面 积、高质量的石墨烯可控制备， 但金属外延法制备的石墨烯的形貌和性能受到金 属衬底的影响较大， 在晶格失配的过渡金属基底上， 石墨烯的起皱程度由界面处 的化学键强度决定，强化学键和晶格失配将导致石墨烯的高皱折度， 据文献报道，