微连接讲义第二章连接基本原理.pptVIP

* 3.2 共晶焊技术 （低熔点合金焊，非粘接技术，芯片与底座连接方法） 原理 363℃ * 焊接过程和设备 金硅共晶点以上温度和压力下-----芯片在镀金底座上轻轻揉动磨擦，擦去不稳定氧化层----接触面间硅与金熔化----冷却到金-硅共熔点(363℃)时，形成以晶粒形式互相结合的机械混合物-金硅共晶。 * 共晶焊方法 底座(或引线框)放在加热器上--加热至400--420℃左右，---镊子将硅芯片与镀金层作相对摩擦，形成共晶焊接。 优点：装置简单、灵活性大--不同尺寸的芯片； 缺点：焊接精度和一致性差、芯片表面易被镊子划伤。 2）超声擦动焊接 焊刀通过真空泵吸住芯片--一定压力下以45-60kHz的超声频率与加热到380℃-400℃的镀金底座相对擦动，形成共晶焊接。 1）手动焊接 * 焊刀: 碳化钨硬质合金 (耐磨、耐高温性好) 优点：焊接一致性好，焊接速度快(小于0．5秒)，焊接位置 精确，特别适合中、小功率器件芯片与底座焊接； 尺寸较大芯片(2x2mm2以上)宜用机械振动或电磁振动的共晶焊，焊接时间和振动幅度也要大一些。 * 金－硅共晶焊质量控制 1）底座焊区镀金层的要求： 厚薄、致密程度及能否耐焊接时的高温---1x1mm芯片， 需2—3．5μm厚的致密镀金层； 芯片背面预先蒸发一层