aes表面分析方法.pptVIP

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  • 2019-12-19 发布于江苏
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四、应用例举 1. 微区分析(电子束径:30nm) * 三种最基本的表面分析方法 名称 俄歇电子能谱 X射线光电子能谱 二次离子质谱 AES XPS SIMS 一次束 电子 X射线 离子 检测粒子 俄歇电子 光电子 二次离子 EABC=EA-EB-EC Ek=hν-Eb m/e 特点 定量较好 带有化学位移信息 检测灵敏度高 分辨率高 表面损伤小 ppb 缺点 轻元素不能分析 分辨差 表面损伤 (X射线不易聚焦) 定量困难 共同点:元素种类分析(成分分析、痕量分析)、表面分析 俄歇电子能谱 (Auger Electron Spectroscopy 简称AES) 一、简介 二、基本原理 三、定性及定量分析方法 四、俄歇谱仪介绍 五、主要应用 一般仪器原理示意图 一、简介 当电子束照射到样品表面时,将有带着该样品特征 的Auger电子从样品表面发射。从Auger电子可以得到 如下信息: 发射的Auger电子能量 确定元素种类 Auger电子数量 元素含量 +电子束聚焦、偏转和扫描 元素面分布 +离子束溅射刻蚀 元素深度分布 AES是一种重要的材料成分分析技术。其最大特点是: Δ 信息来自表面 (3 - 30?) Δ 具有微区分析能力(横向与深度分辨率好) Δ 定量分析较好 二、基础知识 1 . 俄歇效应 (1925年, 法国人 P. Auger) 用某种方法使原子内层电子(如K层)电离出去,内层出现空位。电离原子去激发可采用如下两种形式: Δ 辐射跃迁: 一外层电子填充空位后,发射出特征X射线 (例L3上电子填充K能级上空位,发出X射线Kα1) Δ 无辐射过程(即Auger过程): 一外层电子填充空位,使 另一个电子脱离原子发射 出去 (例L1上电子填充K能级空位,同时L3上的电子发射出去, 称KL1L3俄歇跃迁)。 特点: Δ 第二个电子在弛豫过程中释放的能量,须大于或 至少等于第三个电子的束缚能。 Δ 终态为二重电离状态。 Δ H和He只有一个K壳层,最多只有2个电子,无法 产 生Auger跃迁。 C-K跃迁 (Coster-Kronig跃迁): 终态空位之一与初态空位处于同一主壳层内 即 WiWpYq ( p i ) 超C-K跃迁: 两终态都与初态空位处于同一主壳层内 即WiWpWq( p i,qi ) C-K跃迁速度快,△t小,由测不准原理 (△E)(△t) h, Δ E大,带来能量的分散,使谱线展宽。 2. 俄歇电子能量 EABC = EA(Z) - EB(Z) - EC(Z) EA、EB、EC分别为A、B、C能级上电子的结合能,是原子序数为Z的元素的函数,是该种元素原子所特有的,因此EABC也是该种元素特有的。 修正: EABC = EA(Z) - 1/2[EB(Z) + EB(Z+1)] - 1/2[EC(Z) + EC(Z+1)]

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