涉重行业环境管理及先进和电镀技术.ppt

无锡市环境科学研究所 杨麟 四、集成电路行业概况 4.3生产工艺及产污环节 ? 电镀铜(EP)：电化学沉积的制造工艺是用来在高级集成电路中生成铜质主导线。在电化学沉积中，晶圆浸在铜电解槽里，以便填充晶圆绝缘层表面的刻蚀槽。铜导线这样就在先前物理气相沉积工序中制造出来的铜晶种层上“生长”。电镀工艺采用铜板为阳极，晶圆为负极，硫酸和硫酸铜混合溶液作为电镀液（电镀液硫酸铜浓度为15%，硫酸浓度为1%，促进剂为氯化铜，浓度为1%）。镀铜主要化学反应式分别由以下阴板化学反应式表示： CuSO4→Cu2++SO42- Cu2++2e→Cu 该工序产生的主要污染物有含铜废水W2、含铜废液S2（硫酸铜浓度5%）、废铜盘S3、硫酸雾G1。 化学机械抛光（CMP）：将待抛光的硅片在一定的下压力及研磨液（Slurry，由超细二氧化硅颗粒、化学氧化剂和纯水组成的混合液，与铝制程的研磨液成分相同）的存在下相对于一个抛光垫作旋转运动，借助磨粒的机械磨削及化学氧化剂的腐蚀作用来完成对工件表面材料的去除，并获得光洁表面。主要污染物为含铜废水W2。 无锡市环境科学研究所 杨麟 四、集成电路行业概况 4.3生产工艺及产污环节 ? 引脚镀锡：封装工艺中一般要对元器件的引脚进行镀锡加工。目前一般采用烷基磺酸盐镀锡工艺，主要是由于它较氟硼酸盐工