MOS器件物理基础研究.pptVIP

* 假定漏极电压0，由于沟道电势从源极的0V变化到漏极的VD，所以栅与沟道间的局部电压差从VG变化到VG-VD。 MOS管体效应的Pspice仿真结果 Vb=0.5v Vb=0v Vb=-0.5v Id Vg 体效应的应用： 利用衬底作为MOS管的第3个输入端 利用VT减小用于低压电源电路设计 衬底跨导 gmb MOSFET的沟道调制效应 MOSFET的沟道调制效应 L L’ MOS管沟道调制效应的Pspice仿真结果 VGS-VT=0.15V, W=100μ ?ID/?VDS∝λ/L∝1/L2 Ｌ=2μ Ｌ=6μ Ｌ=4μ MOS管跨导gm不同表示法比较 跨导gm 1 2 3 上式中: 亚阈值导电特性 (ζ1,是一个非理想因子) MOS管亚阈值导电特性的Pspice仿真结果 VgS logID 仿真条件： VT＝0.6Ｖ W/L＝100μ/2μ MOS管亚阈值电流ID一般为几十~几百nA, 常用于低功耗放大器、带隙基准设计。 MOS器件模型 MOS器件版图 MOS电容器的结构 MOS器件电容 C1:栅极和沟道之间的氧化层电容 C2:衬底和沟道之间的耗尽层电容 C3,C4栅极和有源区交叠电容 C5,C6有源区和衬底之间的结电容 栅源、栅漏、栅衬电容与VGS关系 1) VGS VTH截止区 2) VGS VTH VDS VGS – VTH深三极管区 3) VGS VTH V