光电技术应用发光器件和光电耦合器件.pptVIP

门关闭时，KD触点断开，S1、S2、S3处于开状态。 晚上，打开门，KD触点闭合。9V电源整流后经R1向C1充电，C1两瑞电压很快上升到9V，整流电压经S1、 S2、S3和R4使B6内发光二极管发光，从而触发双向晶体管导通，H被点亮，实现自动照明控制。 6.光电自动照明控制 房门关闭后，磁铁控制KD，触点断开，9V电源停止对C1充电，电路进入延时状态，C1开始对R3放电，经一段时间延迟后，C1两瑞电压逐渐下降到S1、S2、S3的开启电压(1.5v)以下，S1、S2、S3恢复断开状态，导致VB6截止，VT亦截止，H熄灭，实现延时关灯功能。 7.光电过零检测技术 220V交流电压结果限流后直接加到两个反向并联的光电耦合器的输入端，在交流电的正负半周，两个发光二极管分别导通，输出低电平，在交流电源正弦波过零点，均不导通，输出高电平，该脉冲信号经过整形可作为单片机的中断请求信号和可控硅的零同步信号。 思考题与习题6 6.8 举例说明光电耦合器件可以应用在哪些方面？为什么计算机系统常采用光电耦合器件？ 6.9 为什么由发光二极管与光电二极管构成的光电耦合器件的电流传输比小于1，而 由发光二极管与光电三极管构成的光电耦合器件的电流传输比可能大于等于1？ 6.10 用光电耦合器件构成或门、或非门逻辑电路（要求画出电路图）。 6.11 光电耦合器件在电路中的信号传输作用与电容的隔直传交作用有什么不同？ 6.12 试分析图6-44，如果光电耦合双向可控硅的光电流必须大于30 mA，所提供的输入电压不大于5V，试问输入电阻RI至少为多少Ω？ 6.3半导体激光器 1.半导体激光器发光机里 2.SLD的主要机构 6.3.1半导体激光器的发光原理 受激辐射 粒子数反转 谐振腔 1.量子跃迁 Ec Ev E 禁带 导带 价带 不稳定 过程：导带中的电子以一定的几率自发地与价带中的空穴复合并以光子的形式释放出复合所产生的能量。 a：自发辐射 光子的特点：非相干 应用：LED b:受激辐射 光子的特点：相干光 应用：SLD c:受激吸收 应用：光探测器，太阳能电池等 过程：在适当能量的光子作用下，能带中电子获得能量跃迁到导带中，形成电子－空穴对。 三种量子跃迁的区别与联系 受激吸收与受激辐射是互逆的过程 自发辐射与受激辐射区别是是否有外来光子参与 同一光电器件可以同时出现两种或三种跃迁 d：非辐射跃迁 影响SLD的量子效率、稳定性等，是不利因素 Ec Ev 声子，热跃迁 △E △E 这样才能得到激光？ 产生激光的必要条件之一：受激辐射占主导地位 Ec Ev E 禁带 导带 价带 正常分布 禁带 导带 价带 反转分布 产生激光的必要条件之二：粒子数的反转分布 2.粒子数反转 产生粒子数反转分布的方法： 注入载流子－－半导体激光器 强光对激光进行照射－－半导体、固体激光器 气体电离－－半导体、气体激光器 3.谐振腔 工作物质 1 2 3 4 产生激光的必要条件之三：有个谐振腔 Ec Ev 光增益 相干光子 有无谐振腔就是LED与SLD的重要区别，LED无腔 稳定工作的条件： 稳定工作的条件之一：适合的谐振腔 L 稳定工作的条件之二：光增益g等于或大于总损耗 阈值增益，阈值电流 在腔内传播的平面波： L 在两个腔面间来回反射后： LD的发光过程： 注入电流，即注入载流子 在有源区形成粒子数反转，导带电子不稳定，少数电子自发跃迁到到价带，产生光子 光子被导带中的电子吸收跃迁到价带，同时释放出2个相干光子，即光子在适当的腔内振荡放大 光子稳定振荡，光能量大于总损耗，LD开始工作 基本结构：驱动电源、工作物质、谐振腔 * Δ * 总发射大于总吸收（包括不利的吸收） * 总发射大于总吸收（包括不利的吸收） 3.谐振腔 工作物质 1 2 3 4 产生激光的必要条件之三：有个谐振腔 Ec Ev 光增益 相干光子 有无谐振腔就是LED与SLD的重要区别，LED无腔 稳定工作的条件： 稳定工作的条件之一：适合的谐振腔 L 稳定工作的条件之二：光增益g等于或大于总损耗 阈值增益，阈值电流 在腔内传播的平面波： L 在两个腔面间来回反射后： 结论：每个整数m都对应一个频率或一个震荡的纵模模式 纵模分布 I 增益曲线 损耗曲线 增益曲线 2个以上的纵模激励的LD称为多纵模LD 仅有一个纵模激励的LD称为单纵模LD LD的发光过程： 注入电流，即注入载流子 在有源区形成粒子数反转，导带电子不稳定，少数电子自发跃迁到到价带，产生光子 光子被导带中的电子吸收跃迁到价带，同时释放出2个相干光子，即光子在适当的腔内振荡放大 光子稳定振荡，光能量大于总损耗，LD开始工作 基本结构：驱动