《半导体三极管》-公开课件.ppt

谢谢！ §1.3 双极型晶体管 半导体三极管也称双极型晶体管，一般简称晶体管。 §1.3.1 晶体管的结构与分类 §1.3 双极型晶体管 晶体管基本结构: 两个PN结、三层半导体区、三个电极。 晶体管从结构上分为: PNP型晶体管 / NPN型晶体管 发射区 集电区 基区 N N P P P N 基区 发射区 集电区 发射结（Je） 集电结（Jc） 发射结（Je） 集电结（Jc） b 基极 b 基极 e 发射极 e 发射极 c 集电极 c 集电极 NPN型 PNP型 (晶体管结构示意图） NPN型 PNP型 晶体管图型符号 箭头方向：由P区→N区 箭头方向：由P区→N区 VT VT §1.3.1 晶体管的结构与分类 §1.3 双极型晶体管 按照材料划分 硅晶体管 锗晶体管 按照工作功率不同划分 小功率晶体管 大功率晶体管 按照工作频率不同划分 高频晶体管 低频晶体管 §1.3.1 晶体管的结构与分类 §1.3 双极型晶体管 1. 晶体管具有电流放大特性。 2. 晶体管实现电流放大作用的必要外部条件： 晶体管的发射结加正向电压（正偏），集电结加反向电压（反偏）。 N P Je Jc N 集电区 基区 发射区 e c UcUbUe 对于NPN用电压关系表示外部条件： UcUbUe 对于PNP用电压关系表示外部条件 §1.3.2 晶体管的电流分配原则及放大作用 §1.3 双极型晶体管 b UC Ue Ub §1.3.2 晶体管的电流分配原则及放大作用 §1.3 双极型晶体管 UBB RB UCC b e c VT RC IB IC IE ?A mA NPN管电流放大实验电路 mA IB(mA) 0 0.010 0.020 0.040 0.060 0.080 0.100 Ic(mA) 0.001 0.495 0.995 1.990 2.990 3.995 4.965 IE(mA) 0.001 0.505 1.015 2.030 3.050 4.075 5.065 §1.3.2 晶体管的电流分配原则及放大作用 §1.3 双极型晶体管 结论： 1、每一列数据均满足：IE=IB+IC b e c VT IB IC IE ?A mA mA 2、每一列数据都有ICIB 并且IC / IB≈50 3、任意两列数据求IC和IB变化量的比值，并且ΔIC / Δ IB≈50 β称为晶体管的电流放大系数： β=IC / IB 以NPN管为例说明三极管内部载流子的传输与电流分配： N P Je Jc N UCC e c b UBB Rb Rc IE 1. 发射区向基区发射自由电子，形成发射极电流IE 。 发 射 区 集 电 区 §1.3.2 晶体管的电流分配原则及放大作用 §1.3 双极型晶体管 IB 以NPN管为例说明三极管内部载流子的传输与电流分配： §1.3.2 晶体管的电流分配原则及放大作用 §1.3 双极型晶体管 N P Je Jc N UCC e c b UBB Rb Rc IE 2. 自由电子在基区与空穴复合，形成基极电流IB 。 发 射 区 集 电 区 集 电 区 ICBO IC IB 以NPN管为例说明三极管内部载流子的传输与电流分配： §1.3.2 晶体管的电流分配原则及放大作用 §1.3 双极型晶体管 N P Je Jc UCC e c b UBB Rb Rc IE 3. 集电区收集从发射区扩散来的自由电子，形成集电极 电流IC 。 发 射 区 N 集 电 区 ICBO IC IB 以NPN管为例说明三极管内部载流子的传输与电流分配： §1.3.2 晶体管的电流分配原则及放大作用 §1.3 双极型晶体管 N P UCC e c b UBB Rb Rc IE 发 射 区 N IE=IC+IB IC= β IB 晶体管能够用较小的输入基极电流IB控制输出较大的集电极电流IC，这就是三极管的电流放大作用。 §1.3.2 晶体管的电流分配原则及放大作用 §1.3 双极型晶体管 总结： 要使晶体管具有放大作用，晶体管的发射结必须加正向电 压（正偏），集电结必须加反向电压（反偏）。 IE=IC+IB IC= β IB 2. 晶体管的电流分配级放大关系式 3. NPN管的电流方向： IB IC IE VT VT IB IC IE UBB RB UCC b e c VT RC iB iC iE ?A mA uBE V uCE V NPN共射极接法晶体管特性测试电路 共射输入特性： 共射输出特性： - §1.3.3 晶体管的输入输出特性曲线 §1.3 双极型晶体管 iB= f (uBE)| UCE=常数 iC= f (u