碳纳米管原位包覆金属锡纳米线的制备方法及其生长机理 .doc

第28卷　第4期Vol 128　No 14材　料　科　学　与　工　程　学　报Journal of Materials Science Engineering 总第126期Aug.2010 文章编号:167322812(20100420555204 碳纳米管原位包覆金属锡纳米线的制备方法及其生长机理 谭俊军,寿庆亮,牛　强,孙晨曦,崔白雪,张孝彬 (浙江大学材料系硅材料国家重点实验室,浙江杭州　310027 　　【摘　要】　采用直接沉淀法制备出粒径为10nm 以下的二氧化锡(SnO 2颗粒,将其作为前躯体采 用CVD 法原位生长碳纳米管,通过XRD 、SEM 、TEM 等方法观察了该复合物的微观结构,对其生长机理做出了合理的推断。 【关键词】　锡纳米线;原位包覆;碳纳米管;CVD ;生长机理 中图分类号:TB383　　　　文献标识码:A In 2situ Preparation of CNT 2encapsulated Sn N anowires and Investigation of the G row th Mechanism TAN Jun 2jun ,SH OU Q ing 2liang ,NIU Q ing ,SUN Chen 2xi ,CUI B ai 2xue ,ZHANG Xiao 2bin (State K ey Lab of Silicon Materials ,Department of Materials Science and E ngineering ,Zhejiang U niversity ,H angzhou 　310027,China 【Abstract 】　SnO 2nanoparticles wit h an average diameter less t han 10nanometers have been synt hesized by chemical p recipitation met hod.CN T 2encap sulated Sn nanowires were prepared by a chemical vapor depo sition (CVD met hod over as 2synt hesized SnO 2nanoparticles.CN T 2encap sulated Sn nanowires were characterized by X 2ray diff ractomet ry (XRD ,transmission elect ron micro scopy (TEM ,scanning elect ron micro scopy (SEM .It s growt h mechanism was investigated. 【K ey w ords 】　Sn nanowires ;in 2sit u encap sulation ;carbon nanot ube (CN T ;CVD ;growt h mechanism 收稿日期:2009212210;修订日期:2010201213 作者简介:谭俊军(1985-,男,硕士研究生,研究方向:纳米材料在电池材料中的应用。E 2mail :tanjunjun_zju @ 。通讯作者:张孝彬(1948-,教授,E 2mail :zhangxb @ 。 1　引　言 自碳纳米管被发现以来[1],一维空腔结构作为其最重要的结构特征之一,受到了人们的广泛关注。碳纳米管包覆纳米材料的性能、制备及应用也已成为碳科学与材料科学领域的又一研究热点。1992年Broughto n J.Q.等人[2]从理论上论证了将外来物质填充入纳米碳管的可能性。理论计算和实验研究的结果表明,在纳米碳管的内腔中,填充物质的自身结构和性质与宏观状态相比发生了变化。碳包覆金属纳米线是一种新型的碳包覆金属复合材料,由于纳米金属线处于碳包覆结构的内部,被碳层或者碳纳米管禁锢在很 小的空间,从而避免了环境对纳米金属线的影响,另一 方面也在一定程度上解决了纳米金属线自身的体积膨胀收缩问题。另外由于碳包覆层的存在,改善了某些金属与生物体之间的相容性,因而在医学方面也具有潜在广阔的应用前景。目前研究者通过物理填充、化学填充、原位填充等诸多途径将三十几种元素填入到了纳米碳管中。Hsu W.K.等人[3,4]利用一种原位填充的方法即熔盐电解法合成出了碳管包覆的Sn 和Sn -Pb 合金纳米线,但此方法工艺复杂且产率较低。另外一种可以将金属Sn 填充入纳米碳管的原位填充法为电弧放电法[5],此种方法的填充效率非常低,且填充的Sn 很难形成纳米线。J.Y.Lee 等人[6]以及S.H Lee 等人[7]利用化学气相沉积方法合成出了碳管包覆 的Sn和Sn-Sb合