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X射线光电子谱(XPS)X-ray Photoelectron Spectroscopy;XPS ?? 引言;XPS ?? 引言;XPS ?? 基本原理;能量关系可表示： ;XPS ??光电效应;对固体样品，必须考虑晶体势场和表面势场对光电子的束缚作用，通常选取费米(Fermi)能级为 的参考点。;功函数;XPS ??X射线光电子谱仪 ;X射线源 离子源 样品台 电子能量分析器 电子探测及倍增器 数据处理与显示;1. X射线源-X射线的产生;要求 足够高的能量（使内层电子电离） 足够的强度（能产生足够的光电子通量） 尽量窄的线宽（单色X射线） ;1. X射线源-双阳极X射线管;1. X射线源-X射线的单色化;单色化XPS谱图效果;通过测定光电子动能而探究光电子状态。对光电子动能的测量，主要利用静电场、静磁场及电子的飞行时间等方式。;2.光电子能量分析-电子能量分析器;半球型光电子能量分析器;3. 电子探测及数据处理;4.真空系统;XPS ??X射线光电子谱基本原理 ;XPS ??X射线光电子谱基本原理;XPS ??X射线光电子谱基本原理;XPS ??X射线光电子谱基本原理;XPS ??X射线光电子谱基本原理;XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准 ;XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准;XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准;XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准;XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准;XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准;XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准;XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准;XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准;XPS ??X射线光电子谱仪的能量校准;XPS ??XPS中的化学位移 ;内层电子一方面受到原子核强烈的库仑作用而具有一定的结合能，另一方面又受到外层电子的屏蔽作用。当外层电子密度减少时，屏蔽作用将减弱，内层电子的结合能增加；反之则结合能将减少。因此当被测原子的氧化价态增加，或与电负性大的原子结合时，都导致其XPS峰将向结合能的增加方向位移。;化合物聚对苯二甲酸乙二酯中三种完全不同的碳原子和两种不同氧原子1s谱峰的化学位移;XPS ??XPS中的化学位移 ;XPS ??XPS中的化学位移 ;XPS ??XPS中的化学位移;XPS ??XPS中的化学位移;XPS ??XPS中的化学位移;XPS ??XPS中的化学位移;XPS ??XPS中的化学位移;光电子特征峰：在XPS中，很多强的光电子谱线称为特征峰，其一般是对称的，并且很窄。但是，由于与价电子的耦合，纯金属的XPS谱也可能存在明显的不对称。 其中， s壳层不发生自旋分裂 谱图上是单峰 p,d,f壳层分裂成两个能级 谱图上出现双峰. 两峰的面积比一般为： 2p1/2 ? 2p3/2 = 1 ? 2　 3d3/2 ? 3d5/2 = 2 ? 3 4f5/2 ? 4f7/2 = 3 ? 4;1 ? 2;振激 ( Shake up ) (2) 振离 ( Shake off ) (3) 能量损失 ( Energy loss ) (4) X射线卫星峰 (X-ray satellites ) (5) 多重分裂 (Multiplet splitting ) (6) 俄歇电子 (Auger electron ) ;光电子特征峰伴峰;shake up 峰对化学研究提供的有用信息： 　　　?顺磁反磁性 　　　?键的共价性和离子性 　　　?几何构型 　　　?自旋密度 　　　?配合物中的电荷转移 　　　?弛豫现象;光电子特征峰伴峰;光电子特征峰伴峰;光电子特征峰伴峰;光电子特征峰伴峰;光电过程;Auger 过程;X射线激发的俄歇电子峰的特点;;XPS ??XPS分析方法;;元素定性分析特点;3 元素化学态分析;电负性: O?S?H N1s结合能值: NO3?NO2?NH2;氧化态增加 　　化学位移增加;例3 电负性 F?O?C?H 四个碳原子在分子中所处的化学环境不同 所以在谱图上出现四个位移不同的C1s峰;4 定量分析;　灵敏度因子法 ;所以 　　—元素灵敏度因子， 　　　也叫原子灵敏度因子; 只要测得各元素特征谱线的强度(常用峰面积),再利用相应的元素灵敏度因子,便可得到相对浓度. 　注意：影响定量分析的因素很多,如:样品表面组分不均匀,表面污染,化学状态不同对光电离截面的影响等,所以误差一般较大.;5　深度分析;变角XPS技术 –非损伤深度分析;变角XPS法; 图18.4变角XPS示意图 图18.5 Si3N4表面S