第三章 半导体中载流子的统计分布.pptVIP

一般EF位于禁带内，且与导带底或价带顶的距离远大于k0T 对于导带中的所有量子态，被电子占据的概率一般都满足f(E)1 E增大， f(E)减小，所以导带中绝大多数电子分布在导带底附近。 E增大，1- f(E)增大，所以价带中绝大多数空穴分布在价带顶附近。 特征：1、杂质完全电离 nD+=ND 2、本征激发提供的载流子远大于 3、杂质电离的载流子 ni ND 电中性条件 n0=p0+nD+ 电中性条件 n0=p0+nD+ 可简化为 （5）、高温本征激发区： N0=p0 杂质半导体中的载流子浓度 1. 低温弱电离区 n型Si中Ef与温度T的关系总结： 4. 本征激发区 3. 过渡区 2. 饱和电离区 杂质半导体中的载流子浓度 一般情况下的载流子统计分布（自学） 杂质半导体中的载流子浓度 n型Si中电子浓度n与温度T的关系总结： 杂质离化区 过渡区 本征激发区 n型Si中Ef与掺杂浓度的关系总结： EF－EC＜－2kT，非简并 －2kT≤EF－EC＜0，弱简并 EF－EC≥0，简并 N型半导体的简并条件：EF－EC≥0 P型半导体的简并条件：Ev－EF≥0 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 简并半导体 GaAs、Si以及Ge发生简并时所需的杂质浓