13双极型晶体管解析.pptxVIP

§1.3 双极型晶体管 双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管BJT (Bipolar Junction Transistor) 。C集电极CPNBNPBB基极PNEE发射极1.3.1 晶体管的结构和类型PNP型NPN型集电极基极发射极CCICICBBIBIBIEIEEENPN型三极管PNP型三极管C集电极NPBN基极E发射极集电区：面积较大基区：较薄，掺杂浓度低发射区：掺杂浓度较高C集电极NPBN基极E发射极集电结Jc发射结JeCNRCBPNE1.3.2 晶体管的电流放大作用电流放大条件：内部条件：发射区掺杂浓度高；基区薄；集电区面积大 。外部条件：发射结正偏；集电结反偏。 NPN: VCVBVE PNP: VCVBVEVCCRBVBBC基区空穴向发射区的扩散可忽略IEP 。NRCBPIBENEIE发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。一、晶体管内部载流子的运动VCC进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。RBVBBIC=ICN+ICBO?ICECICNICBONRCBPIBENEIE集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。VCCRBVBBIC=ICN+ICBO ?ICNCICNICBONBVCCPIBNIBNRBEIEVBBIB=IBN+IEP-ICBO?IBN图 晶体管内部载流子运动与外部电流二、晶体管的电流分配关系外部电流关系： IE= IC +IB内部：在e结正偏、c结反偏的条件下，晶体管三个电极上的电流不是孤立的，它们能够反映非平衡少子在基区扩散与复合的比例关系。这一比例关系主要由基区宽度、掺杂浓度等因素决定，管子做好后就基本确定了。反之，一旦知道了这个比例关系，就不难得到晶体管三个电极电流之间的关系，从而为定量分析晶体管电路提供方便。 为了反映扩散到集电区的电流ICN与基区复合电流IBN之间的比例关系，定义共发射极直流电流放大系数为 其含义是：基区每复合一个电子，则有 电子扩散到集电区去。 值一般在20~200之间。 确定了 值之后，可得 式中： 称为穿透电流。因ICBO很小，在忽略其影响时，则有为了反映扩散到集电区的电流ICN与射极注入电流IEN的比例关系，定义共基极直流电流放大系数 为显然，1，一般约为0.97~0.99。不难求得 由于,都是反映晶体管基区扩散与复合的比例关系，只是选取的参考量不同，所以两者之间必有内在联系。由,的定义可得BJT的三种组态1.3.3 晶体管的共射特性曲线 晶体管伏安特性曲线是描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线，它对于了解晶体管的导电特性非常有用。晶体管有三个电极，通常用其中两个分别作输入、输出端，第三个作公共端，这样可以构成输入和输出两个回路。实际中，有图所示的三种基本接法(组态)，分别称为共发射极、共集电极和共基极接法。其中，共发射极接法更具代表性，所以我们主要讨论共发射极伏安特性曲线。mA?AV1.3.3 晶体管的共射特性曲线ICIBVCCVRBUCEUBEVBB 实验线路一、共发射极输入特性共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 典型的共发射极输入特性曲线如图所示。 UCE =0.5VUCE=0VIB(?A)UCE ?1BE(V)0.40.8一、共发射极输入特性工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。二、共发射极输出特性曲线共射输出特性曲线是以iB为参变量时，iC与uCE间的关系曲线，即输出特性可以划分为三个区域，对应于三种工作状态。100?A480?A360?A240?A120?AIB=0312UCE(V)69当UCE大于一定的数值时，IC只与IB有关，IC=?IB。二、共发射极输出特性曲线IC(mA )此区域满足IC=?IB称为线性区（放大区）。1放大区e结为正偏，c结为反偏的工作区域为放大区。在放大区有以下两个特点：(1)基极电流iB对集电极电流iC有很强的控制作用，即iB有很小的变化量ΔIB时， iC就会有很大的变化量ΔIC。为此，用共发射极交流电流放大系数β来表示这种控制能力。β定义为反映在特性曲线上，为两条不同IB曲线的间隔。 (2) uCE变化对IC的影响很小。在特性曲线上表现为，iB一定而uCE增大时，曲线略有上翘(iC略有增大)。这是因为uCE增大，c结反向电压增大，使c结展宽，所以有效基区宽度变窄，这样基区中电子与空穴复合的机会减少，即iB要减小。而要保持iB不变，所以iC将略有增大。这种