ADS低噪声放大器设计.pptVIP

（4）很明显，这个匹配网络的参数需要调整，以适合输出端口 的匹配。TLIN1和TLIN2中的L=2.5mm {2.0mm to 40mm},表示 微带线默认线长为2.5mm，但是它是一个优化参数，优化范围为 2.0mm到40mm。 （5）完成微带线的设置后，将输出匹配网络连接到SP模型电路 去，如图。 （6）在原理图设计窗口的Optim/Stat/Yield/DOE元件面板列 表中选择一个优化空间Optim并插入到原理图中。 （7）将Maxlters改为200 （8） 在Optim/Stat/Yield/DOE元件面板 选择两个优化目标控件GOAL，并插入到原 理图中。 （9）这里首先对S11参数和S22参数进行 优化。 （10）这里的SimInstanceName选择了SP2也就是说需要一个新 的S参数仿真控制器，并将其频率设置在2GHz附近。 （11）单击工具栏中的Simulate执行仿真，并等待 仿真结束。 （12）仿真结束，结果如下。 从上图的结果可以看出，经过优化后，S11参数反而不如不加输出 阻抗匹配网络前，这是由于加入匹配网络后，改变了原来电路的 输入阻抗，使电路的输入阻抗不再为50欧姆。 （13）观察S22，S21和S12曲线，它们有了不同程度的改善。 （14）在一次优化完成后，要单击原理图窗口菜单中的Simulate Update Optimization Values保存优化后的变量值（在VAR控件上 可以看到变量的当前值），否则优化后的值将不保存到电路原理图 中。 如果得到的参数不满足要求，则需要反复调整优化方法，优化目标 中的权重Weight，还可以对输入匹配网络进行优化，最终得到合适 的结果。 综合指标的实现 完成了低噪声放大器S参数的分析，还需要分析放大器的噪声系数 稳定性等参数，下面就对这些参数进行分析和优化。 1.放大器稳定性分析 首先来分析放大器的稳定性，放大器的稳定性是放大器的一个重要 指标，如果电路稳定系数变得很小（低于0.9），则难以达到预期 性能。 （1）在Simulation-S_ParamS_Param元件面板中选择一个稳定系 数测量空间StabFct，并插入到原理图中。 （2）使原理图设计窗口中的优化控件失效，并单击工具栏中 Simulate执行仿真，等待仿真结束。 （3）从曲线看出，放大器的稳定系数都大于1，满足设计要求。 2.噪声系数分析 数据显示窗口中插入一个关于nf（2）的曲线，从图中可以看出低 噪声放大器的噪声系数大约为1.9左右。 3.输入驻波比与输出驻波比 （1）在Simulation-S_Param元件板中选择两个驻波比测量控件 VSWR，并插入到原理图中，其中一个参数不变，另一的测量方程 改为VSWR2=vswr(S22),如图所示。 （2）单击Simulate按钮，等待仿真 结束。 （3）仿真结束后，在系统中插入一个关于VSWR1和VSWR2的矩 形图。 （4）由VSWR1和VSWR2的测量方程可以知道，它们分别是放大 器的输入驻波比和输出驻波比，在频率为2GHz时，驻波比约为1.5 这样就完成了低噪声放大器SP模型的仿真设计，下面用三极管的封 装模型代替SP模型，并重新分析电路的性能。 （三）封装模型仿真设计 进行完SP模型设计以后，需要将SP模型替换为封装模型来作进一步 设计，需要进行以下工作： 将SP模型替换为封装模型 选择直流工作点并添加偏置电压 偏置网络的设计 封装模型电路的S参数设置 直流偏置网络设计 1.偏置网络计算 （1）打开直流工作点扫描的电路原理图bjt_curve，并在原理图中 BJT的基极加入一个节点名称VBE。 （2）将原理图中的直流电源SCR1的Vdc改为2.7V。 （3）删除参数扫描控件。 （4）双击直流仿真控件，在参数设置窗口中 选择Sweep选项卡，将参数按右图修改。 （5）双击变量控件VAR，将其中的变量VCE 删除。 （6）单击Simulate，等待仿真结束。 （7）单击List按钮，添加右图结果。 从列表可以看出，当Vce=2.7V，Ic=5mA时， IBB=50uA，VBE=799.2mV （8）在数据显示窗口中插入两个偏置电阻计 算方程，分别为Rb=（2.7-VBE）/IBB和 Rc数据列表如图所示。 （9）在数据显示窗口中单击List，在弹出的Plot TraceAttibutes 窗口中选择Equation中的Rb和Rc，分别单击Add按钮添加，单击 Ok。从图中可以看出 当IBB=50uA时，偏置 电阻Rb=38千欧姆， Rc=469欧姆。 2.偏置网络仿真 下面就用电阻Rb和Rc构成直流偏置网络，并对带有偏置网络的原 理图进行仿真。首先创建带有偏置网络的原理图。 （1）以新的设计名“biasnet”