薄膜物理合金和化学物蒸发.pptVIP

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2019-12-25 发布于广东
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薄膜物理合金和化学物蒸发.ppt

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分子束外延镀膜法 (4) MBE是动力学过程，即将入射的中性粒子(原子或分子)一个一个地堆积在衬底上进行生长，而不是一个热力学过程，所以它可生长按照普通热平衡生长方法难以生长的薄膜 (5) MBE的另一显著特点是生长速率低，大约１μm/h，相当于每秒生长一个单原子层，因此有利于实现精确控制厚度、结构与成分和形成陡峭异质结等。 MBE特别适于生长超晶格材料　　 (6) MBE是在一个超高真空环境中进行的，而且衬底和分子束源相隔较远，因此可用多种表面分析仪器实时观察生长面上的成分　结构及生长过程，有利于科学研究　　 MBE已在固体微波器件、光电器件、多层周期结构器件和单分子层薄膜等方面的研制得到广泛应用　　真空蒸发镀膜法操作步骤： (1) 放置基片 (2) 排气 (3) 加热基片(要想快，可以从排气开始后立即进行加热，但为慎重起见，最好在获得高真空后开始加热) (4) 蒸发源除气(供给蒸发源蒸法所需的30％～100％的电功率) (5) 蒸镀(旋转基片，供给蒸发源所需电能，打开挡板) (6) 达到所要求的膜厚之后，关闭挡板，停止供给蒸发源和基片电能 (7) 经过必要的冷却时间之后，取出基片，放入下一批基片 ⅠA ⅡA ⅢA ⅣA ⅤA ⅥA ⅦA ⅧA H(1) Hydrogen He(2) Helium Li(3) Lithium Be(4) Beryllium 固体元素人造元素 B(5) Boron C(6) Carbon N(7) Nitrogen O(8) Oxygen F(9) Fluorine Ne(10) Neon Na(11) Sodium Mg(12) Magnesium 气体元素液体元素 Al(13) Aluminum Si(14) Silicon P(15) Phosphorous S(16) Sulfur Cl(17) Chlorine Ar(18) Argon K(19) Potassium Ca(20) Calcium Sc(21) Scandium Ti(22) Titanium V(23) Vanadium Cr(24) Chromium Mn(25) Manganese Fe(26) Iron Co(27) Cobalt Ni(28) Nickel Cu(29) Copper Zn(30) Zinc Ga(31) Gallium Ge(32) Germanium As(33) Arsenic Se(34) Selenium Br(35) Bromine Kr(36) Krypton Rb(37) Rubidium Sr(38) Strontium Y(39) Yttrium Zr(40) Zirconium Nb(41) Niobium Mo(42) Molybdenum Tc(43) Technetium Ru(44) Ruthenium Rh(45) Rhodium Pd(46) Palladium Ag(47) Silver Cd(48) Cadmium In(49) Indium Sn(50) Tin Sb(51) Antimony Te(52) Telluriu I(53) Iodine Xe(54) Xenon Cs(55) Cesium Ba(56) Barium La(57-71) Lanthanum Hf(72) Hafnium Ta(73) Tantalum W(74) Tungsten Re(75) Rhenium Os(76) Osmium Ir(77) Iridium Pt(78) Platinum Au(79) Gold Hg(80) Mercury Tl(81) Thallium Pb(82) Lead Bi(83) Bismuth Po(84) Polonium At(85) Astatine Rn(86) Radon Fr(87) Francium Ra(88) Radium Ac(89-103) Actinium Rf(104) Rutherfordium Db(105) Dubnium Sg(106) Seaborgium Bh(107) Bohriium Hs(108) Hassium Mt(109) Meitnerium Uun Uuu Uub Uut Uuq Uup Uuh Uus Uuo 　 Ce(58) Pr(59) Nd(60) Neodymium Pm(61) Promethium Sm(62) Samari