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作为完整的电荷控制方程，还需要加进去的是由于储存电荷随时间变化而出现的其它分量，其中包括发射结空间电荷区和集电结空间电荷区储存电荷的瞬态值(dQTE/dt及dQTC/dt )。瞬态基极总电流应表示为(电荷控制方程应修改为)： 这表明，基极电流除了用于基区电荷积累，补充基区复合外，还要用作对势垒电容进行充放电，维持势垒区电荷随结电压的变化。 (3-50) a. 延迟过程和延迟时间 （一）延迟过程 1. 截止状态下的e结，c结 反偏，流过的电流均为反向漏电流 2. t0 时刻基极输入正脉冲Vi,形成基极电流 3. 基极注入空穴给eb结电容充 电，同时也给cb结电容充电， 使势垒变窄 4. 将 I C=0.1Ics 所对应的e结偏压 VJ0称为正向导通电压，此时基区电子有与0.1Ics 相应的积累，由于电中性的要求，必须由基极电流补充适当的空穴进来。 ?延迟过程中基极IB1的作用： ①给eb结，cb结充电 ②在基区建立与0.1ICS相应电荷积累，e结偏压变为VJ0 ③补充维持这一电荷积累所需的复合损失 （二）延迟时间 分两个阶段： ①基极正脉冲开始到晶体管刚开始导通（JC≈0）：td1 ② IC由0→0.1ICS：td2 1.在td1时间内,基极电流仅用于给CTe,CTc充电，基极积累电荷≈0 电荷控制方程 因为 减小 td 的途径：①减小结面积Ae,Ac以降低CTE,CTC; ②降低 b. 上升过程和上升时间 1.上升过程 随着IB1继续给e结充电，使Vbe从0.5V→0.7V，IC从0.1ICS → 0.9ICS 2.上升时间 电荷控制方程 将上面 、 、 、 换成 ，得 改写为 初始条件t=0时， 可解得上升时间 t1时刻：IC=0.1ICS t2时刻：IC=0.9ICS 3.缩短tr 的途径 ①减小截面积 Ae,Ac 以减小 CTE,CTC ②减小基区厚度，以能更快建立所需浓度梯度 ③提高基区少子寿命，加强基区输运，减小复合 ④增大IB1 ，但这会加深饱和深度 c. 电荷储存效应与储存时间 1.电荷储存过程 上升过程结束，IC→ICS ，IB→ICS／β0（临界饱和基极电流IBS ） ，但实际上IB1＞ICS ／ β0 ，大于IBS的基极电流继续对CTE、CTC、CDC充电，不但发射结正偏电压有所增高，集电结也由零偏转为正偏，达到0.5V左右的正向偏压（晶体管由临界饱和态进入饱和态）。 称为基极过驱动电流 IBX使晶体管内部产生大量的非平衡载流子，但集电极电流已达到饱和值ICS，不能再增加，故这些载流子就会在晶体管内堆积起来，它们会使得发射结上正偏压进一步升高，并使集电结由零偏转变为正偏压，结果通过正偏集电结向基区注入电子，向集电区注入空穴，使得基区、集电区产生超量储存电荷QBS及QCS，如上图所示。直至晶体管进入稳定的饱和状态。 0 2.超量存贮电荷的消失过程 t=t3基极正脉冲去掉，e结反偏(-VBB)，IB2反向(≈VBB/Rb)。 IB2的作用：抽取存贮电荷 超量电荷Qbs,Qcs被抽光之前，基区电子浓度梯度不变（图5.20），超量电荷从1→5减少。IC仍保持饱和值ICS,所以出现在开关晶体管的实际波形图中，Vi变负后仍有一段时间 IC 基本不变。 储存时间ts：①Qcs、 Qbs 的消失时间ts1②IC由ICS下降到0.9ICS所需时间ts2 3.储存时间 令总超量电荷 定义：贮存时间常数 （5.58） τs实际上是IBX对b区，c区充电形成QX的充电时间常数 贮存电荷消失过程电荷控制方程为： （5.59） 0 0 0 如图，饱和态e、c结均正偏，e结正向电流IF积累电荷QBSF ，c结反向电流I RN积累电荷QBSR 基区超量电荷Q’BS= QBSF+ QBSR－QB,，C结反向电流IRP在C区积累的电荷Q’CS。晶体管中总的超量电荷QX=QBSF+QBSR+Q’CS-QB, 由（5.58）得存储时间常数 过驱动电流 ts2=教材(3.7.37)式 设β*→1，α≈γ由P.197的推导可得存储时间常数的普遍形式： 4.缩短储存时间的途径 （1）开启时，在保证导通的前提下，IB1不要太大； （2）在有外延结构的晶体管中，在保证cb结耐压的前提下，尽可能减小外延层厚度WC，在无外延结构的情况下