CN102688041A基于电极采用交错位方式排列的三维电阻抗断层成像方法.pdf

(19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN102688041A* (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 102688041 A (43)申请公布日 2012.09.26 (21)申请号 201210188972.9 (22)申请日 2012.06.08 (71)申请人 思澜科技（成都）有限公司 地址 610000 四川省成都市高新区高朋大道 5 号B 座504 (72)发明人 蒲洋 戴涛 向飞 (74)专利代理机构 成都顶峰专利事务所 (普通 合伙) 51224 代理人 成实 (51)Int.Cl. A61B 5/053 (2006.01) 权利要求书 1 页 说明书 5 页 附图 5 页 权利要求书1 页 说明书5 页 附图5 页 (54)发明名称 基于电极采用交错位方式排列的三维电阻抗 断层成像方法 (57)摘要 本发明的目的在于提供一种基于电极采用 交错位方式排列的三维电阻抗断层成像方法，包 括以下步骤：（1）在三维图像的待测体表面放 置电极，且该电极采用交错位的方式在三维图 像的待测体表面上进行排列；（2）通过三维图 像的待测体得到对应的有限元模型，并利用所 述的电极对该有限元模型进行数据采集，根据 采集到的数据计算差分电压信号y =v -v ；（3） i i 0 计算三维图像的待测体的电导率变化近似值 （4）计算所得的 在有限元模型中进行显示，其显示出来的图像 即为三维图像的待测体的实时差分图像。本发明 的电极采用交错位的方式在三维图像的待测体表 面上进行排列，本发明与现有技术相比，其三维像 的重构质量和对目标的检测灵敏度均得到了显著 A 地提高。 1 4 0 8 8 6 2 0 1 N C CN 102688041 A 权 利 要 求 书 1/1 页 1. 基于电极采用交错位方式排列的三维电阻抗断层成像方法，其特征在于，包括以下 步骤： （1）在三维图像的待测体表面放置电极，且该电极采用交错位的方式在三维图像的待 测体表面上进行排列； （2）通过三维图像的待测体得到对应的有限元模型，并利用所述电极对该有限元模型 进行数据采集，根据采集到的数据计算差分电压信号y =v -v ，其中，v 为当前时刻的电压 i i 0 i 信号，v 为参考信号； 0 （3）计算三维图像的待测体的电导率变化近似值 其中， -1 -1 P=R ，R 为先验条件，J 为电导率敏感度矩阵，T 为J 的转置，λ为正则化参数，V=W ,W 为反 映通道噪声情况矩阵，y 则为步骤（2）中根据采集到的数据而计算出的差分电压信号； （4）计算所得的 在有限元模型中进行显示，其显示出来的图像即为三维图像的待测体 的实时差分图像。 2. 根据权利要求1 所述的基于电极采用交错位方式排列的三维电阻抗断层成像方法， 其特征在于，所述电极的激励电流以交错方式注入到有限元模型并对该有限元模型进行数 据采集。 3.根据权利要求1或2所述的基于电极采用交错位方式排列的三维电阻抗断