BJT的静态特性课件.ppt

第11章 BJT的静态特性 11.1 理想晶体管模型 （作业2，7，8） 11.2 理论和实验的偏差（作业） 11.3 现代BJT结构（作业）(11.17) 11.1 理想晶体管模型 1. 理想BJT的基本假设 2. 各区的少子分布函数 3. 流过E-B结和C-B结的电子、空穴电流 4. 特性参数 1. 理想BJT的基本假设 （1）E-B结和C-B结都是均匀突变结 （2）小注入 （3）耗尽层近似 （4）忽略耗尽层中的产生-复合效应 （5）发射区和集电区的准中性宽度远大于少子的 扩散长度 （6）忽略串联电阻效应 （7）晶体管在稳态条件下工作 坐标系和材料参数符号说明 2. 各区的少子分布函数 方法步骤： （1）扩散方程 （2）边界条件 （3）求解方程得到少子分布函数表达式 （4）由少子分布函数求出流过E-B结和C-B 结的电流IEp，IEn, ICp, ICn （5）根据?，?T，?dc, ?dc的定义求出特性参数 扩散方程和边界条件 由pn结定律得耗尽层的边界条件 发射区的扩散方程和边界条件 发射区的少子分布规律和电流 集电区的扩散方程和边界条件 基区的扩散方程和边界条件 基区的少子分布规律 简化关系式 因为基区宽度远小于少子的扩散长度，即WLB，0?x?W 基区少子分布的简化求解方法 基区的少子分布规律 3 流过发射区、集电区和基区的电流 4 特性参数 4 特性参数 四种偏置模式下少子分布图 双极型晶体管的Ebers-Moll（E-M）模型 11.2 理论和实验的偏差 2.基区宽度调制效应 基区准中性宽度随外加电压VEB和VCB的变化而变化的现象叫基区宽度调制效应或厄利效应（Early效应） 基区宽度调制效应对共基输入特性曲线的影响大 基区宽度调制效应对共基输出和共发射极输入影响小。 晶体管的掺杂和偏置模式对基区宽度调制效应的灵敏度：NENBNC,E-B 结耗尽区主要在B区，VEB很小，对基区宽度调制影响小，C-B结的耗尽层宽度大部分位于C区，使对基区宽度调制的影响减小到最小。但是若在倒置模式下工作，基区宽度调制效应将会很明显。 3.穿通 基区宽度调制效应最终导致的W?0的物理状态。穿通发生，E-B结和C-B结就静电联结在一起，导致大量的载流子从发射区直接注入集电区，击穿电压和穿通电压先发生者决定了BJT的VCBO和VCEO 4。 雪崩倍增和击穿 共基极： 放大模式下，加在C-B结的电压增加，穿过C-B耗尽 区的载流子增加，获得的动能增加，碰撞晶格离子产生更多载流子，发生雪崩击穿。 倍增系数 共发射极击穿 共发射极击穿电压VCEOVCBO 0-注入基区的空穴 1-扩散到C-B结边界 2空穴碰撞C-B耗散区内的晶格，产生电子空穴 3电子被扫回基区，多余电子导致基区多子失去平衡 共基极，多余电子流出基极 共发射极，多余电子注入发射区，从而导致附加的空穴注入基区，随着附加空穴的注入，在C-B耗尽区会有附加的载流子倍增，导致更大的集电区电流，IC??时的VEC远小于CB结的击穿电压 考虑C-B耗尽区内的载流子倍增 ICP=M?TIEP M ?T代替?T，M ?dc代替?dc，根据公式10.15 5. 几何效应 在理想BJT模型中，电流被假定为是“一维”的，即从发射区注入到基区的载流子是直线移动到集电区的，而实际BJT中并非如此，因而使理想结构给出的结果与实际情况有一些偏差。 在功率BJT中，流过BJT的电流较大，电流集边和因此导致的局部过热特别有害，所以在功率BJT中，发射极和基极采用如下图所示的梳状结构 理想BJT看作本征晶体管，串联电阻包括体电阻和接触电阻之和，实际的E-B结和C-B结的电压为： 7.缓变基区 基区内的杂质分布不是常数，而是从E-B结处的最大值“缓变”到C-B结处的最小值。 基区杂质分布的浓度梯度，使基区存在内建电场，电场帮助少子以更快的速度穿过基区，即减少了基区渡越时间，减少了基区内的复合，增加了基区输运系数和电流放大系数，同时也改善了高频响应速度。 8 BJT的品质因素 借助图形显示的“品质因素”，可以迅速地了解实验结果与理想结果的偏差程度 Gummel图-同时记录IB和IC随输入电压VEB变化的半对数图 理想情况：IC，IB都是一条直线，斜率为q/KT 实际情况：VEB较小时，复合-产生流使实际的基极电流明显增大。 VEB较大时，集电极电流开始向水平方向倾斜并趋于饱 和，主要是由于大注入效应，串联电阻效应和电流集 边效应引起的 8 BJT的品质因素