材料科学基础第六章塑性变形.ppt

6.2.1.6 滑移的位错机制：晶体的滑移是通过位错运动来实现的。当一个位错移到晶体表面时，便会在表面上留下一个原子间距的滑移台阶，其大小等于柏氏矢量。 大量位错滑过晶体，会在晶体表面形成显微滑移痕迹，即滑移线。 因此，可将滑移线看成是晶体中已滑移区与未滑移区的分界线。 * * 刃型位错同样导致晶体滑移。 刃位错与螺位错运动导致的晶体滑移的最终结果相同，但位错运动的过程不一样。刃位错的滑移面是由位错线与柏氏矢量所决定的平面，其滑移方向为b的方向；螺型位错运动的方向也垂直于位错线，但同时垂直于b，即运动方向与晶体滑移方向垂直。 * 6.2.2 孪生 6.2.2.1 孪生变形现象：在切应力作用下，晶体的一部分沿一定晶面(孪晶面)和一定晶向(孪生方向)相对于另一部分作均匀的切变所产生的变形叫孪生。均匀切变区的晶体结构不变，只是取向改变，与未切变区构成镜面对称，形成孪晶。 * * 面心立方金属的的孪晶面为(111)，它与(110)的交割线为[112]，此方向即为孪晶方向。 以(110)为纸面作图(b)可以看出：晶体变形后，变形区域作均匀切变，每层(111)都相对与其相邻晶面沿[112]方向位移了d112/3。表明孪生时每层晶面的位错是借一个不全位错的移动造成的，在本例中，b=a[112]/6。 * 各层晶面的位移量与其距孪晶面的距离成正比，变形部分与未变形部分以孪晶面为准，构成镜面对称，形成孪晶。 孪晶在显微镜 下呈带状或透 镜状。左图为 锌中的变形孪 晶显微像。 * 6.2.2.2 孪生变形的特点：晶体的孪晶面和孪生方向与其结构类型相关，体心立方为{112}111, 面心立方为{111}112, 密排六方为{1012}1011。 孪生与滑移的区别为： 1 孪生使一部分晶体均匀切变，而滑移只集中在一些滑移面上； 2 孪晶变形部分与未变形部分呈镜面对称，位向有变而滑移晶体的各部分位向不变。 * 3 孪生比滑移的临界分切应力高得多，只发生在滑移受阻而引起的局部应力集中区； 4 孪生对塑性变形的贡献小得多。但孪生改变晶体取向，使滑移系转向有利位置，有助于晶体的继续变形。 5 孪生变形的局部切变量可以较大，在晶体表面可以看到浮凸，重新抛光后在偏光下或浸蚀后仍可看出孪晶，而滑移晶体抛光后滑移带消失。 * 密排六方金属常以孪生方式变形；体心立方金属在冲击负荷或低温下也借助孪生变形；面心立方一般不发生孪生，但在极低温下或受高速冲击载荷时偶尔也出现孪晶。 孪生变形的应 力-应变曲线也 与滑移不同。 图6-22为铜单 晶在4.2K的拉 伸曲线。 * 6.3 多晶体的塑性变形 实用材料多为多晶体，塑性变形的基本方式除滑移和孪生外，晶粒取向和晶界的影响使多晶体变形过程更复杂。 6.3.1 晶粒取向的影响：在多晶体中，各个晶粒的取向不同。在给定外力作用下，取向有利的晶粒A的分切应力较早达到临界值，便首先发生滑移。位错在滑移晶粒的晶界处塞积造成应力集中，使原来未滑移的相邻晶粒B的某些滑移系的临界分切应力升高达到临界值。使其滑移开动。 * * 相邻晶粒B的滑动使原本集中的应力得以释放，晶粒A中的位错源重新开动并使位错移出晶粒A。这样变形便从一个晶粒传向另一个晶粒并波及整个材料。 由于多晶体中每一个晶粒都处于其他晶粒的包围之中，变形必须与临近晶粒协调，否则会造成空隙导致材料破坏。这使得多晶体的塑性变形比单晶体困难得多，相应地，多晶材料的屈服应力也比同质单晶材料要高。 * 在三维空间，每一个晶粒的变形需用六个应变分量表示：εxx, εyy, εzz, εzx, εxy, εyz，由于塑性变形时晶体的体积不变，因此有εxx+εyy+εzz=0的限制条件，所以每个晶粒至少需要5个独立的滑移系才能协调变形。 面心立方和体心立方滑移系多，能够满足要求，多晶材料具有较好的塑性。密排六方滑移系少，晶粒间的应变协调性差，多晶材料塑性也差，但强度较高。 * * 6.3.2 晶界的影响：多晶材料的强度随晶粒的细化而提高，这种用细化晶粒来提高材料强度的方法叫细晶强化(grain refining strengthening) 。其本质是晶粒越细，晶界越多，位错的塞积越严重，材料的强度也就越高。 材料的屈服强度与晶粒直径平方根的倒数成线性关系，即霍尔-配奇(Hall-petch)公式： σs=σ0+kd-1/2 (6-8) σ 0为常数，大体相当于单晶体的屈服强度。 * 细晶强化在提高材料塑性的同时也能改善材料的塑性和韧性： 1 晶粒越细，同样变形量分散于更多的晶粒，分配更均匀，应力集中引起开裂的机会减小，表现出更高的塑性； 2 细晶材料中应力集中小，裂纹不易发生；晶界曲折多，位错不易传播。因