晶体二极管模型的不同.pptVIP

例2：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo 解：（1）采用理想模型分析。 采用理想二极管串联电压源模型分析。 （2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。 解：①采用理想二极管 模型分析。波形如图所示。 0 -4V 4V ui t 2V 2V uo t 思考：若UREF=0V，ui为正弦波， 示意性画出输出波形图。P30 0 2.7V uo t 0 -4V 4V ui t 2.7V ②采用串联电压源模型分析，波形如图所示。 思　考： 1. 电路中出现多个二极管，怎样分析？自学P28例2 2. 电路中交直流并存，如何分析？自学P28例2 3. 自学整流电路，掌握半波整流、全波整流和桥式整 流电路特点、工作原理、输出波形特征。 P N VDD1 VDD2 UO RL R 1 kW 3 kW IO I1 I2 15 V 12V 练习1 试求左图硅二极管电路中电流 I1、I2、IO 和输出电压 UO 值。 5.1k? - + ui + - 2V + - VD2 4V - + uO VD1 练习2 试分析右图所示硅二极管电路 (1) 画出电压传输特性曲线； (2) 已知 ui＝10sin? t (V)，画出 ui 和 uo 的波形。 当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数 稳定电压 三、稳压二极管 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管 正向同二极管 反偏电压≥UZ 反向击穿 ＋ UZ － 限流电阻 稳压二极管的主要 参数 (1) 稳定电压UZ —— (2) 动态电阻rZ —— 在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。 rZ =?U /?I rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 (3) 最小稳定工作 电流IZmin—— 保证稳压管击穿所对应的电流，若IZ＜IZmin则不能稳压。 超过Izmax稳压管会因功耗过大而烧坏 。 (4) 最大稳定工作电流IZmax—— 稳压原理： (1) 当输入电压变化时 Ui UZ Uo Uo UR I IZ (2) 当负载电流变化时 IL Uo UR Uo IZ IR 1.2 其它二极管 一、肖特基表面势垒二极管 二、光电二极管 1. 发光二极管 2. 光敏二极管 3. 光电偶合器 原理、特点、电路符号、应用场合等 * * * 第一章 晶体二极管 1.1 半导体物理基本知识 1.2 ＰＮ结 1.3 晶体二极管电路的分析方法 1.4 晶体二极管的应用 1.5 其它二极管 1.1 半导体物理基础知识 在物理学中，根据材料的导电能力，可以将他们划分为导体、绝缘体和半导体。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅原子 锗原子 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 本征半导体的共价键结构 束缚电子 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 一. 本征半导体（Intrinsic Semiconductor) 本征半导体——化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。 这一现象称为本征激发，也称热激发。 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。 动画演示 与本征激发相反的现象——复合 在一定温度下，本征激发和复合同时进行，达到动态平衡。电子空穴对的浓度一定。 常温300K时： 电子空穴对的浓度 硅： 锗： 自由电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 空穴 电子空穴对 自由电子 带负电荷 电子流 动画演示 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4