南京邮电大学光电子作业与答案(第二章).pptVIP

为什么在同质结LED中，应该使电子注入电流尽量大，空穴注入电流尽量小，或者说用P区作为出光区，而在异质结LED中，并不需要这样做？ 2.2节思考题 1 : 同质结LED为提高注入效率，应采用P区作为出光区，使电子注入电流尽量大，空穴注入电流尽量小； 在异质结LED中，N区和P区分别向有源区注入电子和空穴，且有源区两边异质结的势垒可限制注入该区的两种载流子；电子和空穴复合产生的光子，无论从P区还是N区出射，都不会被吸收，因此并不局限在以P区作为出光区。 同质结LED的注入效率： 思考题 2 : 与普通的面发射LED相比较，为什么边辐射LED与光纤之间的耦合效率更高？ 对于普通面发射LED，由于在水平和垂直方向都没有限制，因此其水平和垂直方向的散射角都为120°； 而对于边发射LED，虽然平行于结平面方向没有限制，水平散射角虽仍是 120°；但在垂直于结平面方向对光有限制，其垂直散射角是 30°，因此边辐射LED与光纤之间的耦合效率更高。 P-N+型同质结构成的LED，参数如下。计算其注入效率。 【习题2.1】 【解】 少子浓度为 扩散长度为： 注入效率为： 【习题2.2】 一个LED，正常工作情况下其有源区载流子的辐射复合寿命为2ns，非辐射复合寿命为5ns，求此LED的3dB截止带宽。 【解】 【习题2.3】 P-N+型同质结构成的LED，参数与习题2.1相同，其产生光功率为1mW，器件横截面积为1 mm2，辐射效率为20%。求正向偏置电压。 （工作温度300 K） 【解】 【习题2.4】在GaAs-LED外加圆形电介质罩，光束由LED向电介质罩出射时，在界面的反射率为10%，计算此电介质罩材料的折射率。 电介质罩材料的折射率n 从半导体材料到电介质罩的反射率R为 【解】 【习题2.5】GaAs材料制作的P-N+同质结LED，器件参数如下。请计算： （1）总量子效率； （2）单位时间内产生的光子数； （3）注入电流。 （1）总量子效率； （2）单位时间内产生的光子数 （3）注入电流 或 【解】 【习题2.6】 GaAs材料的LED，输出功率为5 mW，横截面积100um2，器件出光效率为0.2，载流子的辐射复合寿命为5ns。器件的非辐射复合忽略不计，注入效率为1。计算有源层厚度是多少。 （题目中取n=1018cm-3） 【解】 2.3节思考题: 1. 激光器的基本结构由哪几部分组成？ 半导体激光器有什么突出特点？ 激光器的基本组成部分: 增益介质 谐振腔 泵浦源 结构很紧凑，避免了外加谐振腔可能产生的机械不稳定性； 半导体激光器的驱动电源也较简单，需要的电流、电压均很小，因此工作较方便和安全。 优点： 2. 什么是半导体激光器的阈值条件? 阈值条件： 光子在谐振腔内往返一次，不产生损耗而能维持稳定的振荡或形成稳定的驻波。 3. 光子在腔内形成稳定振荡的阈值振幅条件和相位条件。 阈值振幅条件 相位条件 4. 阈值增益的计算，如何降低激光器的阈值增益？ 阈值增益： 尽量减少光子在介质内部损耗、适当增加增益介质的长度和对非输出面镀以高反射膜。 降低LD的阈值增益： 5. 激光器的纵模间隔是多少？ 纵模波长间隔 纵模频率间隔 忽略色散： （2.4节）1．为什么同质结激光器不能在室温下连续工作？为什么其光场分布相对于结平面不对称分布？ （1）同质结LD有源区的厚度主要由p区电子的扩散长度所决定；而它是随温度的增加而增加的，室温时的Ln可达5微米。在如此厚的有源区内实现粒子数反转，需要大的注入载流子浓度； 在一个Ln范围内产生的受激辐射光子，无限制地向两边扩展； 所以，同质结LD阈值电流密度高，而且随温度发生剧烈变化。同质结室温下的阈值电流密度高达104A/cm2量级，只能在液氮温度下才能连续工作； （2）结附近存在一个很小的折射率台阶，引起一个很弱的光波导效应，但由于电子有比空穴高的迁移率因而有大的扩散长度，所以同质结半导体激光器的有源区偏向p区一侧。 作业: 教材138页第1-3题 答： 答： （1）由于有源层侧向尺寸减少，光场分布对称性增加； （2）因为在侧向对电子和光场也有限制，有利于减少激光器的 阈值电流和工作电流； （3）由于有源层被埋在导热性能良好的无源晶体中，减少了激 光器的热阻，有利于提高激光器的热稳定性。 （4）由于有源区面积小，有源层缺陷少。同时，除解理面外， 有源区与外界隔离，有利于提高器件的稳定性与可靠性。 （5）由于有源层侧向尺寸减少，有利于改善侧向模式。 （2.5节）2．