alxca（1x）as俄歇灵敏度因子的测定.pdf

第 ·3卷 第 4期 物 理 学 报 VaL43．No．4 l994年 4月 ACTA PHYSICA SfN fCA ^pr．， 1994 昌 中 燕 俪苏 A a— s俄歇灵敏度因子的测定 1／中国科学院半导陈磊维德物运吾崔ii玉再德i酲北京 1993年 7月 12日收蓟 m s， (=)年72咩 A利用I61。俄歇谱仪测定了^l，G和 的俄歇灵敏度因子．对6种不同值的． Al-Ga At．样品进行俄歇定量分析．结果与X射线积晶衍射测量值非常一致．结果表明，利 用 自身谱仪谗定的俄歇灵载度因子盎行的定量分析结果，与目前通常使用的手册或内标法提 供的元素相对夏敏度因子的定量分析结果相比，测量精度得到大大提高． 一 ， 引 言 A1Ga。 一 As是一种非常重要的 III—V 族化合物半导体材料．在高速数字和光电器 件中所用的 A】GahAs层对Al的组分都有特殊的要求．因此，在 AlG8hAs中，A】的 组分的精确测定受到广泛的重视． 在 A1。Ga～As的俄歇定量分析中，俄歇灵敏度因子是一个非常重要的参数．灵敏 度因子的选择直接影响到定量分析的结果．在灵敏窿因子测定中，最为简便的方法是直 接采甩手册提供的元素相对灵敏度因子 ．但手册提供的元素相对灵敏度因子大多是在 PH1545俄歇谱仪上铡定．由于相对俄歇峰比与很多因素有关 ，因此，它们并不适用所有 的俄歇谱仪．如 PHI595俄歇谱仪上测的相对灵敏窿因子与手册提供的数据就有很大差 别 ．因此，除 PHI545俄歇谱仪外 ，其他的谱仪应用手册提供的相对灵敏度因子进行的 俄歇定量分析往往会带来较大的误差．一般利用手册提供的元素相对灵敏度因子确定元 素的原子浓度，其误差可高达 (30—50) ．目前，国内外学者普遍采用以砷为参考元素的 内标法测定元素的相对灵敏度因子 ，可使俄歇定量分析精度提高 l一3倍，但与x射线 双晶衍射铡量值的相对偏差仍可高达 l4．7％ ． 虽然基体效应修正和离子溅射效应修正 的引人使分析精度得蓟改善，但基体效应修正因子和离子藏射效应修正因子的理论计算 十分繁杂，不便于常规应用．本文利用进行俄歇定量测量的谱议本身测定俄歇灵敏度因 子．并将它应用于定量分析计算，使俄歇定量分析的测量精度得到大大提高． 二， 实 验 俄歇灵敏度因子的测定和 Al，GaI．JAs的俄歇电子能谱定量分析是在 PHI610扫描 俄歇微探针上完成的．分析塞本底真空度为 2．7×10一rpa，电子枪电压为 3kV，电子柬 物 理 学 报 与样品表面法线夹角为 45。，束流为 lA，溅射氩离子能量为 2．0keV，扫描 面 积 为 2 ∞m × 2mm ． 灵敏度因子与 ^J。Ga一As定量分析铡试条件相 同．^J标样纯度为 99．999％，Ag标 样纯度为 99．99 ，GaAs(1OO)经解理后裸露出新鲜表面．利用Af+溅射击除标样表面 残留的O，C沾污．记录微分谱，测定 AlLMM (68eV)，AIKLL(1396eV)，GaLMM (1070eV)和 AsLMM(1228eV)与 AgMNN(35leV)的相对俄歌谱比．定量分析所用 的 A1…GalAs样品用分子束外延方法在 GaAs(100)村底上生长 ．共有 6个不同 值的 样品． 值是利用 RigakuSLX-IAL超晶格测量装置测定的．测角精度为 0．0ls，可 以 精 确地铡定外延层的晶格常数．对 AlGa．_．As组分的测量精度高于 1‰ 三、实验结果与讨论 1．饿歇是敏度因子 定义元素的俄歇灵敏度因子为在同一测量条件下元素的俄歇峰峰强度与纯 Ag标样 的俄歇蜂峰强度之 比． A1的俄歇蜂峰强度分