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IA-8
AlN 基材料高温MOCVD 生长及其器件研究进展
黎大兵
(发光学及应用国家重点实验室，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，吉林 长春，130033）
* E-mail: lidb@ciomp.ac.cn
摘要：AlGaN 材料因在紫外光电子器件领域具有广泛的应用前景而越来越受到人们的重视，
但是由于 AlGaN 材料质量存在的问题严重限制了其紫外光电子器件的应用与发展。 本报告中
将介绍采用“两步法”高温 MOCVD 生长高质量 AlN/sapphire 模板，并以此为基础制备了高
质量的 AlGaN 紫外器件结构材料。系统研究了不同生长参数，如缓冲层生长温度、厚度、III/V
比以及及高温层的生长温度、生长压强等对AlN 模板结晶质量的影响，并探讨了其生长机理。
同时，研究了外延材料中缺陷对紫外探测器性能的影响，并提出基于微纳结构来改善紫外探测
性能的思路。
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