半导体器件物理 第二章总结.pptVIP

欧姆接触对材料的要求 N型半导体 2，M-S接触能带 * MS能带在界面处不在出现 ，而是在半导体一侧 在 以下，是载流子（电子）能够自由地通过界面，即获得线性的I-V关系，满足Ω接触的要求。 * 3，P型半导体 * MS边界接触处，无空穴的势垒。半导体一侧 出现在 之上。载流子能无阻挡通过界面，满足了I-V现行要求，即满足Ω接触。 要做好Ω接触、金属的选择 在加正反偏压时，只使体内的能带上下移动，表面的结构不会改变。 * 反 正 8，外加电压时欧姆接触的界面处的能带的结构不会改变，能使半导体的体内能带整体上移或下移。 图为N型半导体的欧姆接触 * 2-4-3 实际的欧姆接触 1，理想的欧姆接触仅是一种近似情况，即N型或P型半导体即使能够满足 及 要求，而界面处总存在“寄生电阻效应” 2， 实际的欧姆接触对半导体的掺杂浓度有一定的要求，即在高掺杂条件下，界面寄生电阻才能基本消除。 * 工艺过程 接触电阻 理论上,多数载流子有一通道,无阻挡.而实际上总有阻挡. 工艺上,用重掺杂－－通过 * 实际上的欧姆接触的电流机制：隧道穿透 实现w很小 理论上 实际上起指导作用 w S M 隧道穿透 * 金属半导体接触及其能级图 * E0 Wm (EF)m Ev (EF)S E0 En χ Ws Ec 金属中的电子势阱 半导体的功函数和电子亲合力 金属半导体接触及其能级图 金属和半导体的功函数 * Ev (EF)S En χ Ws Ec Wm (EF)m E0 金属和n型半导体接触能带图(WmWs) (a) 接触前 (a) 金属半导体接触及其能级图 接触电势差 * Wm EF q(V’s-Vm) Ev En χ Ws Ec D 金属和n型半导体接触能带图(WmWs) (b) 间隙很大 (b) 金属半导体接触及其能级图 接触电势差 * qVD qфns Ec EF Ev En Ec qVD qфns EF q(V’s-Vm) Ev En χ Wm 金属和n型半导体接触能带图(WmWs) (c) 紧密接触；(d) 忽略间隙 (c) (d) 金属半导体接触及其能级图 接触电势差 * 金属和n型半导体接触能带图(WmWs) Ec Ev χ -Wm EF Ws-Wm 金属半导体接触及其能级图 接触电势差 * Ec Ev EF qVD=Ws-Wm Wm qфps χ Ec qфps qVD=Wm-Ws EF Ev 金属和p型半导体接触能带图 (a) p型阻挡层(WmWs); (b) p型反阻挡层(WmWs) 金属半导体接触及其能级图 接触电势差 * qф0 qфns qVD χ qфns qф0 Ev EF Ec Ws Ev χ En qVD Ws EF Ec 存在高表面态密度时 n型半导体的能带图 存在受主表面态密度时 n型半导体的能带图 金属半导体接触及其能级图 表面态对接触势垒影响 * Wm (EF)m E0 χ (EF)S Ec qVD qфns Wm Wm-Ws D EF Ec qVD EF Ec qфns qVD (a) (b) (c) 表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图 (a) 接触前; (b)紧密接触; (c) 极限情况 金属半导体接触及其能级图 表面态对接触势垒影响 * 为了得到理想的I-V特性，在图4所示的保护环结构中采用了一种附加的p+扩散环来降低边缘效应。由于搭接金属结构比较简单，通常在集成电路中采用它更为合适。 * 图4 实用的肖特基二极管结构：采用保护环二极管 * 肖特基二极管的特点 肖特基势垒二极管和P-N结二极管具有类似的电流-电压关系，即它们都有单向导电性；但前者又有区别于后者的以下显著特点。 首先，就载流子的运动形式而言，P-N结正向导通时，由P区注入N区的空穴或由N区注入P区的电子，都是少数载流子，它们先形成一定的积累，然后靠扩散运动形成电流。 * 这种注入的非平衡载流子的积累成为电荷存贮效应，它严重地影响了P-N结的高频性能。而肖特基二极管的正向电流，主要是由半导体中的多数载流子进入金属形成的。它是多数载流子器件。例如对于金属和N型半导体的接触，正向导通时，从半导体中越过界面进入金属的电子并不发生积累，而是直接成为漂移电流而流走。因此，肖特基二极管比P-N结二极管有更好的高频特性。 * 其次，对于相同的势垒高度，肖特基二极管的JsD或JsT要比P-N结的反向饱和电流Js大得多。换言之，对于同样的使用电流，肖特基二极管将有较低的正向导通电压，一般为0.3V左右。 * 肖特基二极管的应用