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PECVD的原理及设备结构;PECVD: Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition
等离子增强化学气相沉积
等离子体:由于物质分子热运动加剧,相互间的碰撞就会使气体分子产生电离,这样的物质就会变成自由运动并由相互作用的电子、正离子和中性粒子组成混合物的一种形态,这种形态就称为等离子态即第四态.;工作原理:Centrotherm PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和高频等离子激发器的系列发生器。在低压和升温的情况下,等离子发生器直接装在镀膜板中间发生反应。所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。这些气体???用于存储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅烷对氨气的比率,来得到不同的折射指数。在沉积工艺中,伴有大量的氢原子和氢离子的产生,使得晶片的氢钝化性十分良好。;技术原理:是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。;Si3N4的认识:
Si3N4膜的颜色随着它的厚度的变化而变化,其理想的厚度是75—80nm之间,表面呈现的颜色是深蓝色,Si3N4膜的折射率在2.0—2.5之间为最佳。
Si3N4的优点:
优良的表面钝化效果高效的光学减反射性能(厚度折射率匹配)低温工艺(有效降低成本)
反应生成的H离子对硅片表面进行钝化.; SINx薄膜;物理性质和化学性质:
结构致密,硬度大
能抵御碱、金属离子的侵蚀
介电强度高
耐湿性好;Si3N4膜的作用:
减少光的反射:良好的折射率和厚度可以促进太阳光的吸收。
防氧化:结构致密保证硅片不被氧化。;均匀性分析;PECVD设备结构;;晶片装载区:桨、LIFT、抽风系统、SLS系统。
桨:由碳化硅材料制成,具有耐高温、防变形等
性能。作用是将石墨舟放入或取出石英管。
LIFT:机械臂系统,使舟在机械臂作用下在小
车、桨、储存区之间互相移动。
抽风系统:位于晶片装载区上方,初步的冷却石墨舟和一定程度的过滤残余气体
SLS系统:软着落系统,控制桨的上下,移动范围在2—3厘米;炉体:石英管、加热系统、冷却系统
石英管:炉体内有四根石英管,是镀膜的作业区域,耐高温、防反应。
加热系统:位于石英管外,有五个温区。
;PECVD设备结构;冷却系统示意图;特气柜:MFC 气动阀
MFC:气体流量计(NH3 CF4 SiH4 O2 N2)
SiH4 1.8 slm
NH3 10.8 slm
CF4 3.6 slm
O2 3 slm
N2 15 slm
气动阀:之所以不用电磁阀是因为电磁阀在工作时容易产生火花,而气动阀可以最大程度的避免火花。;真空系统
真空泵:每一根石英管配置一组泵,包括主泵和辅助泵。
蝶阀:可以根据要求控制阀门的开关的大小,来调节管内气压的 ;控制系统
CMI:是 Centrotherm 研发的一个控制系统,其中界面包括 Jobs(界面) 、System(系统)、Catalog(目录)、Setup(软件)、Alarms(报警)、Help(帮助).
Jobs:机器的工作状态。
System:四根管子的工作状态,舟的状态以及手动操作机器臂的内容。
Datalog:机器运行的每一步。
;PECVD设备结构;判断PECVD 的产出硅片的质量;影响PECVD的工艺参量;影响PECVD的工艺参量;影响PECVD的工艺参量;影响PECVD的工艺参量;影响PECVD的工艺参量;影响PECVD的工艺参量;影响PECVD的工艺参量;THANKS;dsfdbsy384y982ythb3oibt4oy39y409705923y09y53b2lkboi2y58wy0ehtoibwoify98wy049ywh4b3oiut89u983yf9ivh98y98sv98hv98ys9f698y9v698yv98x98tb98fyd98gyd98h98ds98nt98d8genklgb4klebtlkb5k tkeirh893y89ey698vhkrne lkhgi8eyokbnkdhf98hodf hxvy78fd678t9fdu90gys9
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