半导体制造工艺02硅的实验室处理工艺.pptxVIP

三道防线:环境净化（clean room）硅片清洗（wafer cleaning）吸杂（gettering）1、空气净化From Intel Museum净化级别：每立方英尺空气中含有尺度大于0.5mm的粒子总数不超过X个。0.5um高效过滤超细玻璃纤维构成的多孔过滤膜：过滤大颗粒，静电吸附小颗粒泵循环系统20～22?C40～46％RH排气除尘由于集成电路內各元件及连线相当微细，因此制造过程中，如果遭到灰尘、金属的污染，很容易造成芯片内电路功能的损坏，形成短路或断路，导致集成电路的失效！在现代的VLSI工厂中，75%的产品率下降都来源于硅芯片上的颗粒污染。例1.一集成电路厂 产量＝1000片/周×100芯片/片，芯片价格为$50/芯片，如果产率为50％，则正好保本。若要年赢利$10,000,000，产率增加需要为年开支=年产能为1亿3千万1000×100×52×$50×50%=$130,000,000产率提高3.8%，将带来年利润1千万美元！Contaminants may consist of particles, organic films (photoresist), heavy metals or alkali ions.外来杂质的危害性例2. MOS阈值电压受碱金属离子的影响当tox＝10 nm，QM＝6.5×1011 cm-2（?10 ppm)时，DVth＝0.1 V例