半导体物理学简明第6章 异质结2011.pptVIP

* 西安理工大学电子工程系　马剑平 第6章 异质结和纳米结构 6.1 异质结的构成及其能带 6.1.1 异质结的构成与类型 6.1.2 异质结的能带结构 6.1.3 界面态对异质结能带结构的影响 6.2 异质结特性及其应用 6.2.1 伏安特性 6.2.2 注入特性 6.2.3 光伏特性 6.2.4 异质结应用 6.3 半导体量子阱和超晶格 6.3.1 量子阱和超晶格的结构与分类 6.3.2 量子阱与超晶格中的电子状态 6.3.3 量子阱效应和超晶格效应 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 6.1.1 异质结的构成与类型 一、异质结的构成 1、晶格匹配 2、异质结材料 3、应变异质结 二、异质结的分类 1、反型异质结 2、同型异质结 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 一、异质结的构成 1、晶格匹配 异质结通常由两种不同性质的半导体单晶薄层构成，但在结合面须保持晶格的连续性，因而这两种材料至少要在结合面上具有相近的晶体结构。用两种单晶材料构成异质结必须满足晶格匹配和热匹配的要求. 在异质结物理中，通常将组成材料的晶格失配率?小于0.5%时的搭配称为晶格匹配，晶格失配率?大于0.5%时则视为晶格失配。 一般情况下将晶格失配率?定义为两种材料晶格常数之差的绝对值?a1-a2?与其晶格常数的平均值a=(a1+a2)/2之比。 对异质外延，?则通常定义为衬底材料与外延层材料晶格常数之差的绝对值?as-ae?与外延层晶格常数ae之比 热匹配本质上也是指的晶格匹配，即不同温度下的晶格匹配。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 一些半导体对的晶格常数和晶格失配率 材料 Ge/Si Ge/GaAs GaAs/AlAs GaN/6H-SiC GaN/蓝宝石 3C-SiC/Si 晶格常数 (nm) 0.56575/0.54307 0.56575/0.56533 0.56533/0.56622 0.3189/0.3081 0.3189/0.2747* 0.43596/0.54307 ?a1-a2?/a 4.1% 0.07% 0.16% 3.4% 14.9% 21.9% ?as-ae?/ae 4.0% 0.07% 0.16% 3.39% 13.9% 24.6% *蓝宝石的晶格常数a=0.4758nm。以蓝宝石为衬底进行异质外延时，外延物通常取代其表面层的Al原子而与氧原子成键,因而与外延层相匹配的是氧子晶格,其晶格常数为 几种半导体材料相对于GaN的晶格失配度 半导体材料 GaN 蓝宝石( Al2O3) SiC (6H) ZnO 晶格结构 六方 六方 六方 六方 晶格常数 a=0.3180nm c=1.299nm a=0.4758nm c=1.299nm a=0.3080nm c=1.512nm a=0.3252nm c=0.5213nm 晶格失配度 (相对于GaN) 0001方向 -13.62 0001方向 3.5% 0001方向 2.2% 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2、异质结材料 几种半导体材料相对于GaN的晶格失配度 半导体材料 GaN 蓝宝石( Al2O3) SiC (6H) ZnO 晶格结构 六方 六方 六方 六方 晶格常数 a=0.3180nm c=1.299nm a=0.4758nm c=1.299nm a=0.3080nm c=1.512nm a=0.3252nm c=0.5213nm 晶格失配度 (相对于GaN) 0001方向 -13.62 0001方向 3.5% 0001方向 2.2% 由于异质结一般要在高温条件下制备,如果外延层与衬底的热匹配状况不佳，异质结中就很容易出现由热失配引起的晶格缺陷。在这个问题上，制备工艺后期的降温过程很关键。对于常温失配率小而高温失配率大的配对，冷却过快会使高温下生成的高密度位错“冻结”下来,使异质结界面在常温下具有高密度位错；对于常温失配率大而高温失配率小的配对，虽然快速冷却可降低异质结界面的位错密度，但室温下较大的晶格失配又会在外延层中产生很大应力，严重时甚至会使外延层龟裂。 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 2、异质结材料 定位于图中同一阴影区内的一组材料基本符合晶格匹配的要求。原则上，同一组中任意两种禁带宽度不同的材料都可以形成晶格匹配的异质结。 若全凭自然条件,能用来构成晶格匹配异质结的材料非常有限.借助于固溶体技术调整晶格常数,可以在每一组材料中增加一些固溶体成员。 一些在异质结技术中常用的半导体材料在4.2K低温状态下的禁带宽度和晶格常数的关系 西安理工大学电子工程系　马剑平 * 3、应变异质结 晶格失配会在异质结界面及其附近引入高